Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

6
Рис. 1.1. Оптическая схема микроскопа
1. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ
1.1. Оптическая микроскопия
Одним из наиболее распространенных средств контроля поверхности
объекта является оптический микроскоп. С его помощью можно прокон-
тролировать результаты селективного травления, что позволяет по форме
ямок травления определить тип и концентрацию структурных дефектов
приповерхностного слоя или кристаллографическую ориентацию полупро-
водниковой пластины. Совмещение реперных знаков при проведении опе-
рации фотолитографии часто невозможно без
помощи микроскопа. В слу-
чае отказа полупроводникового прибора анализ отказа, как правило, начи-
нается с внешнего осмотра либо корпуса прибора, либо прибора с вскры-
тым корпусом.
В целом оптический
микроскоп позволяет про-
контролировать состояние
следующих объектов:
- основание и крышка
прибора или интегральной
микросхемы;
- сварные или паянные
швы;
- контактные площадки
;
- полупроводниковая
пластина после механиче-
ской обработки или трав-
ления;
- металлические и ок-
сидные слои, сформиро-
ванные на пластине;
- фоторезистивные слои
и рисунок фотошаблонов;
- печатные платы и
электронные компоненты,
смонтированные на ней.
На рис. 1.1 представ-
лена оптическая схема ме-
таллографического микро-
скопа, работающего на от-
ражение. Конденсорная
линза и
диафрагма обеспе-
чивают равномерное осве-
щение поля зрения. Увели-
чение микроскопа N определяется соотношением:

Страницы