Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

5
ния, выращенного на низкоомной кремниевой подложке. Только в этом
случае используется интерференция инфракрасного излучения. Более ин-
формативным является метод, использующий интерференцию поляризо-
ванного света (эллипсометрия), с помощью которого можно определить не
только толщину эпитаксиального слоя, но и его основные электрофизиче-
ские характеристики, такие как диэлектрическая проницаемость и удель-
ная электропроводность.
После
проведения диффузии или ионной имплантации часто бывает
необходимо определить распределение концентрации примесных атомов
по глубине пластины. Особенно важна эта задача на стадии отработки тех-
нологического процесса. Задача усложняется тем, что часто концентрация
примесей настолько мала, что чувствительности многих известных мето-
дов химического анализа бывает недостаточно. Для решения этой задачи
используют,
например, методы, основанные на облучении поверхности
пластины остросфокусированным электронным или ионным лучом. Ре-
зультатом такого воздействия является испускание вторичных электронов
или ионов, а также характеристического рентгеновского излучения. Ана-
лиз энергии или длины волны испускаемых частиц позволяет определить
тип и концентрацию примесных атомов. Среди методов, решающих задачу
определения химического состава поверхностного слоя
объекта, можно
выделить вторичную ионную масс-спектроскопию, электронную Оже-
спектроскопию, фотоэлектронную спектроскопию для химического анализа и др.
В задачах, где требуется определить концентрацию примесных ато-
мов и их распределение по глубине, хорошие результаты дают электриче-
ские методы, например, вольт-фарадный метод или метод на основе эф-
фекта Холла. Контроль распределения
примесных атомов по поверхности
пластины можно осуществить на основе измерения ее удельного сопро-
тивления.
Распределение изложенных в пособии методов измерения по главам
определяется видом воздействия на объект. В первых трех главах рассмот-
рены методы исследования морфологии поверхности объектов, основан-
ные на использовании оптической, рентгеновской и электронной микро-
скопии. Особое внимание уделено
интерференционным и дифракционным
методам, позволяющим получить дополнительную информацию о струк-
туре и химическом составе приповерхностного слоя объекта.
Четвертая глава посвящена методам химического анализа поверхно-
сти объекта. Рассмотрены основные методы, которые наиболее широко
используются для качественного и количественного анализа элементного
состава поверхности.
В пятой главе рассмотрены основные электрические методы измере-
ния
параметров полупроводников, позволяющие определить такие пара-
метры, как концентрация и подвижность носителей заряда, распределение
примесных атомов по глубине, контактная разность потенциалов в элек-
тронно-дырочном переходе и др.

Страницы