Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 21 стр.

UptoLike

21
1. 3. ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ
2. Изучить основы теории процессов диффузии примесей в
полупроводник.
3. Ознакомиться с методиками расчета режимов процесса
диффузии.
4. В соответствии с методикой подразд. 1.2.4 и 1.2.6
определить для одно- и двух этапной диффузии время диффузии
и распределение примеси. Исходные данные задаются препо-
давателем из табл.1.6.
1. 4. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
1.Цель работы.
2.Краткое теоретическое введение, методика расчетов
распределения примеси при загонке и разгонке примеси.
3. Рассчитать, свести данные в таблицы и построить графики
распределения примесей при загонке и разгонке примесей.
4. Сделать выводы.
1. 5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1.
Понятие о диффузии примесей в полупроводник и
основные процессы, определяющие ее.
2.Что такое коэффициент диффузии?
3. Первое уравнение Фика и его физический смысл.
4. Второе уравнение Фика.
5. Диффузия из бесконечного источника примеси.
Математическая модель и её реальное применение.
6. Как определяется доза легирования?
7. Из каких соображений выбирается поверхностная
концентрация примеси?
8.
Как условно изобразить образование р-n-перехода?
9. Какова методика расчета времени одноэтапной диффузии?