ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
1. РАСЧЕТ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ
ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИК
1.1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1. Изучение основ теории процессов термической диффу-
зии примесей в полупроводник.
2. Освоение методики расчета параметров технологических
режимов диффузии.
1. 2. ОСНОВЫ ТЕОРИИ И РАСЧЕТА ПРОЦЕССОВ
ДИФФУЗИИ
1. 2. 1. Процессы, определяющие диффузию примесей
Диффузия примесей играет важнейшую роль в планарной
технологии изготовления кремниевых приборов и используется
для легирования полупроводниковых пластин с целью создания
p-n-переходов планарных структур.
Диффузия – это обусловленное тепловым воздействием
перемещение частиц в направлении убывания их концентрации.
Скорость диффузии зави-сит от градиента концентрации атомов
примеси: чем он больше, тем интен-сивнее перемещение
атомов.
Применение методов диффузии в потоке газа – носителя в
сочетании с маскированием, фотолитографией, эпитаксией,
ионным легированием позволяет создавать сложные интег-
ральные приборы, микропроцессоры и микросборки. Практи-
чески для осуществления диффузии используются источники
примеси в газообразном, жидком или твердом состоянии,
которые располагаются вблизи границ полупроводника. Затем
пластина полупроводника нагревается и выдерживается при
высокой температуре. При этом на определенной глубине
создается желаемое распределение атомов примеси, причем тип
проводимости исходного полупроводника меняется на этой
глубине на противоположный.
