ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
В реальных кристаллах предпологается три основных
механизма диффузии: диффузия по вакансиям, диффузия по
междоузлиям, обменная диффузия (взаимный обмен местами).
Для легирования наиболее широко применяемого в планарной
технологии кремния используются, в основном, элементы
третьей и пятой групп периодической таблицы Менделеева. В
этом случае диффузия идет по вакансиям. Атомы этих групп,
находясь в решетке кремния, занимают места в узлах
кристаллической решетки, образуя твердые растворы замеще-
ния. Суть этого механизма состоит в следующем: при высоких
температурах (900 – 1200 ºС) в кремнии резко увеличивается
количество вакансий (пустых, не занятых узлов решетки),
которые могут перемещаться по кристаллу, оказываясь рядом с
атомами примеси. В этом случае атом примеси может перейти
на место вакансии, преодолев сравнительно небольшой
энергетический барьер, и передвинуться по решетке в нап-
равлении убывания концентрации примеси.
Диффузия в кремний атомов элементов из других групп
периодической таблицы большей частью идет по междоузлиям,
т.е. образуются твердые растворы внедрения. Вероятность
перехода атомов примеси в таком растворе из одного
междоузлия в соседнее намного выше вероятности перехода
атома из одного узла в соседний. Поэтому диффузия их
происходит существенно быстрее, чем диффузия атомов
элементов третьей и пятой групп. Однако в междоузельном
пространстве может разместиться значительно меньше атомов,
чем в вакансиях, что обуславливает малую растворимость
примеси. Поэтому можно полагать, что в кремнии элементы
третьей группы лучше растворимы, чем элементы, например,
второй группы. Это необходимо учитывать при проведении
процессов диффузии в реальных условиях.
1. 2. 2. Уравнение диффузии
Если в обьеме полупроводника имеется неравномерно
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
