Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

35
- поместить кварцевую кассету с пластинами в контейнер,
ввести в высокотемпературную зону печи СДО-125/4 и
выдержать при температуре 1200
0
С и расходе кислорода 50 л/ч
одну пластину 20 мин , вторую – 40мин и третью – 60 мин (при
этом выполняется операция «разгонки» с одновременным
окислением поверхности кремния);
-
извлечь кварцевую кассету с пластинами из печи, поста-
вить на подставку и охладить до комнатной температуры;
-
обработать кремниевые пластины в плавиковой кислоте до
полного удаления окисла с поверхности;
-
определить толщину диффузионного слоя, измерить
поверхностное сопротивление после разгонки, определить
поверхностную концентрацию примеси.
Для построения экспериментального концентрационного
профиля примеси в объёме полупроводника необходимо вы-
полнить следующее:
-
ознакомиться с описанием 4-х зондового метода изме-
рения проводимости слоя (см. приложение 3),
-
исходя из полученного значения глубины залегания p-n-
перехода x и скорости травления кремния v в заданном
травителе, определить время нахождения пластины в травителе
для снятия одного слоя так, чтобы число удаляемых слоев было
~10:
t = x/10·v.
Соответственно толщина стравливаемого одного слоя
будет равна
Δx = v·t;
-
измерить проводимость слоя в нескольких точках и
полученные результаты усреднить;
-
пластину поместить в травитель на время t ;
-
промыть пластину после травителя, просушить и
повторить измерения 10 раз;
-
используя графики Ирвина, построить концентрационный
профиль распределения примеси N=f(x);

Страницы