Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структур. Сычев С.А - 11 стр.

UptoLike

Рубрика: 

21
Рис. 6. Зависимость скорости травления YBaCuO пленки
от температуры при давлении пара, близком к насыщенному
Травление тонкой YBa
2
Cu
3
O
7-x
пленки происходит по реакции:
(HCl·kH
2
O)
m
+ YBa
2
Cu
3
O
6,5+x
YCl
3
+ 2BaCl
2
+ 3CuCl
2
+ 78H
2
O + 6,5H
2
O +
2
x
O
2
,
где k = 6, m = 13.
Продукты травления легко растворяются полярными раство-
рителями в процессе снятия фоторезиста.
22
Дефекты при проведении процесса фотолитографии
Основными дефектами при проведении процессов фотолито-
графии являются:
а) наличие проколов в пленке фоторезиста;
б) неровности пленки фоторезиста по всей поверхности ВТСП
пленки;
в) наличие клина в окисной пленке;
г) неровность края изображения пленки фоторезиста;
д) изменение заданных геометрических размеров;
е) наличие ореола по краю изображения.
Наличие проколов в пленке фоторезиста наиболее распо-
страненный вид фотолитографических дефектов. Возникают эти де-
фекты в результате использования некачественных или износивших-
ся фотошаблонов, а также от наличия в фоторезисте пылинок, суб-
полимерных частиц и других посторонних включений. Проколы в
пленке фоторезиста могут также возникнуть в результате перегрева
этой пленки при экспонировании. Количество проколов в значитель-
ной степени зависит от качества смачивания поверхности рабочего
образца фоторезистом. Плохое смачивание приводит к появлению
большого числа проколов.
Неровности пленки фоторезиста по всей поверхности рабоче-
го образца определяются как способом нанесения фоторезистивной
пленки, так и предварительной обработкой поверхности рабочего
образца. Основными параметрами предварительной обработки,
влияющими на неровность пленки фоторезиста, является чистота
обработки поверхности (класс чистоты), плоскостность и плоскопа-
раллельность. Однако даже при получении высоких показателей по
предварительной обработке поверхности рабочего образца слой фо-
торезиста может быть неравномерным. Это может быть обусловлено
чрезмерной густотой фоторезиста, низкой скоростью вращения цен-
трифуги, отклонением плоскости столика центрифуги от горизон-
тальной плоскости. Неровности в пленке фоторезиста приводят к
трудностям контактирования с фотошаблоном, выбора времени экс-
                                                                          Дефекты при проведении процесса фотолитографии
                                                                         Основными дефектами при проведении процессов фотолито-
                                                                   графии являются:
                                                                         а) наличие проколов в пленке фоторезиста;
                                                                         б) неровности пленки фоторезиста по всей поверхности ВТСП
                                                                   пленки;
                                                                         в) наличие клина в окисной пленке;
                                                                         г) неровность края изображения пленки фоторезиста;
                                                                         д) изменение заданных геометрических размеров;
                                                                         е) наличие ореола по краю изображения.
                                                                         Наличие проколов в пленке фоторезиста – наиболее распо-
                                                                   страненный вид фотолитографических дефектов. Возникают эти де-
                                                                   фекты в результате использования некачественных или износивших-
                                                                   ся фотошаблонов, а также от наличия в фоторезисте пылинок, суб-
                                                                   полимерных частиц и других посторонних включений. Проколы в
                                                                   пленке фоторезиста могут также возникнуть в результате перегрева
                                                                   этой пленки при экспонировании. Количество проколов в значитель-
                                                                   ной степени зависит от качества смачивания поверхности рабочего
                                                                   образца фоторезистом. Плохое смачивание приводит к появлению
    Рис. 6. Зависимость скорости травления YBaCuO пленки           большого числа проколов.
   от температуры при давлении пара, близком к насыщенному               Неровности пленки фоторезиста по всей поверхности рабоче-
                                                                   го образца определяются как способом нанесения фоторезистивной
      Травление тонкой YBa2Cu3O7-x пленки происходит по реакции:   пленки, так и предварительной обработкой поверхности рабочего
                   (HCl·kH2O)m + YBa2Cu3O6,5+x ⇒                   образца. Основными параметрами предварительной обработки,
                                                    x              влияющими на неровность пленки фоторезиста, является чистота
           YCl3 + 2BaCl2 + 3CuCl2 + 78H2O + 6,5H2O + O2,
                                                    2              обработки поверхности (класс чистоты), плоскостность и плоскопа-
где k = 6, m = 13.                                                 раллельность. Однако даже при получении высоких показателей по
      Продукты травления легко растворяются полярными раство-      предварительной обработке поверхности рабочего образца слой фо-
рителями в процессе снятия фоторезиста.                            торезиста может быть неравномерным. Это может быть обусловлено
                                                                   чрезмерной густотой фоторезиста, низкой скоростью вращения цен-
                                                                   трифуги, отклонением плоскости столика центрифуги от горизон-
                                                                   тальной плоскости. Неровности в пленке фоторезиста приводят к
                                                                   трудностям контактирования с фотошаблоном, выбора времени экс-


                               21                                                                 22