Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структур. Сычев С.А - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОмГУ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

25
Ход проведения работы
1. Очистить подложку с предварительно напыленной ВТСП
пленкой от загрязнений.
2. Поместить подложку в центрифугу и жестко зафиксировать ее
положение.
3. С помощью пипетки нанести фоторезист на поверхность под-
ложки.
4. Включить центрифугу, выставив нужную частоту оборотов и
по прошествии 30 сек. выключить.
5. После нанесения пленки фоторезиста последняя подвергается
сушке в шкафу при 45–50 °С от 1–1,5 ч.
6. Совместить подложку с фотошаблоном (маской) под микро-
скопом.
7. Экспонировать от 20 до 40 сек.
8. Проявить изображение, промыв образец в растворе KOH
(от 0,5 до 1 %).
9. Тщательно промыть в дистиллированной воде, визуально на-
блюдая процесс проявления рисунка.
10. Произвести дубление полученного защитного рельефа в тече-
ние 1,5 часов в сушильной печи при 50 °С.
11. Выполнить операцию химического травления в парах раствора
соляной кислоты, наблюдая процесс травления визуально.
12. Удалить защитный рельеф с поверхности ВТСП пленки, про-
мыв в чистом этиловом спирте при комнатной температуре.
13. Исследовать полученную сквид-геометрию с помощью микро-
скопа.
14. Проанализировать, на каком этапе фотолитографического про-
цесса были допущены ошибки и неточности.
15. Повторить процесс, внеся необходимые коррективы.
26
Контрольные вопросы
1. Сущность и назначение процесса фотолитографии.
2. Основные типы фотолитографических устройств. Их достоинства
и недостатки.
3. Фоторезист. Виды фоторезистов. Основные критерии пригодно-
сти.
4. Фотошаблон. Требования, предъявляемые к фотошаблонам.
5. В чем заключается метод сухого травления?
6. Каким образом можно тонко регулировать скорость травления?
7. Какие дефекты характерны при проведении фотолитографиче-
ского процесса?
Литература
1. Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы кон-
тактной фотолитографии. М.: Радио и связь, 1982. 104 с.
2. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии /
Под ред. А.В. Шальнова. М.: Мир, 1985. 496 с.
3. Муравьев А.Б., Скутин А.А., Югай К.К., Югай К.Н., Сычев С.А.,
Серопян Г.М. Травление высокотемпературных сверхпроводящих
пленок YBCO // Вестник Омск. ун-та. 1997. № 2. С. 26–28. 
                     Ход проведения работы                                             Контрольные вопросы

1.    Очистить подложку с предварительно напыленной ВТСП           1. Сущность и назначение процесса фотолитографии.
      пленкой от загрязнений.                                      2. Основные типы фотолитографических устройств. Их достоинства
2.    Поместить подложку в центрифугу и жестко зафиксировать ее       и недостатки.
      положение.                                                   3. Фоторезист. Виды фоторезистов. Основные критерии пригодно-
3.    С помощью пипетки нанести фоторезист на поверхность под-        сти.
      ложки.                                                       4. Фотошаблон. Требования, предъявляемые к фотошаблонам.
4.    Включить центрифугу, выставив нужную частоту оборотов и      5. В чем заключается метод сухого травления?
      по прошествии 30 сек. выключить.                             6. Каким образом можно тонко регулировать скорость травления?
5.    После нанесения пленки фоторезиста последняя подвергается    7. Какие дефекты характерны при проведении фотолитографиче-
      сушке в шкафу при 45–50 °С от 1–1,5 ч.                          ского процесса?
6.    Совместить подложку с фотошаблоном (маской) под микро-
      скопом.                                                                                Литература
7.    Экспонировать от 20 до 40 сек.
8.    Проявить изображение, промыв образец в растворе KOH          1. Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы кон-
      (от 0,5 до 1 %).                                                тактной фотолитографии. М.: Радио и связь, 1982. 104 с.
9.    Тщательно промыть в дистиллированной воде, визуально на-     2. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии /
      блюдая процесс проявления рисунка.                              Под ред. А.В. Шальнова. М.: Мир, 1985. 496 с.
10.   Произвести дубление полученного защитного рельефа в тече-    3. Муравьев А.Б., Скутин А.А., Югай К.К., Югай К.Н., Сычев С.А.,
      ние 1,5 часов в сушильной печи при 50 °С.                       Серопян Г.М. Травление высокотемпературных сверхпроводящих
11.   Выполнить операцию химического травления в парах раствора       пленок YBCO // Вестник Омск. ун-та. 1997. № 2. С. 26–28.
      соляной кислоты, наблюдая процесс травления визуально.
12.   Удалить защитный рельеф с поверхности ВТСП пленки, про-
      мыв в чистом этиловом спирте при комнатной температуре.
13.   Исследовать полученную сквид-геометрию с помощью микро-
      скопа.
14.   Проанализировать, на каком этапе фотолитографического про-
      цесса были допущены ошибки и неточности.
15.   Повторить процесс, внеся необходимые коррективы.




                               25                                                                 26

Страницы