ВУЗ:
Рубрика:
143
где
(,, )
n
dd
F
rzz
– поле в n-слойном цилиндрически-слоистом
полупространстве и
(, )
dd
F
rz z
±
– поле в пространстве. Тогда, например, для
вертикальной компоненты электрического поля диполя получаем
22
1
32 32
0
0
() ()
(1 3 ) (1 3 ) 0
44
dd
z
z
z
zz zz
II
E
RR RR
ρρ
ππ
=
−− ++
=
−+
=− − + − =
.
Рис.3.15. Диполь. Графики кажущегося сопротивления
)0(
1
Er
Er
k
=
ρ
ρ
для
трехслойной модели с параметрами :
ρ
1
=1 омм,
ρ
2
=1.2 10
-7
омм,
ρ
3
=1000
омм; a=0.1 м, h=0.01 м , z
d
= 500. По оси абсцисс отложены значения r,
изменяющиеся от 0.11 м со знаменателем геометрической прогрессии q =
2.0. Значения z изменяются от 0 до 500 м с шагом 50 м.
Пунктиром изображен график двухслойной кривой кажущегося
сопротивления, полученный из трехслойной кривой при
12
ρ
ρ
=
.
Приложение. Отметим полезные интегралы, которые используются в процессе
построения квадратур:
sin ln( ) ( ) sgn( )
ln cos
2
aSi
ad
ζ
λλ ζλπ ζλ
λλζλ
ζζ
−
=+
∫
,
sin ln( ) ( )
ln cos
d
o
dadSi
ad
ζ
ζ
λλζλ
ζ
−
=
∫
,
0
sin
()
z
t
Si z dt
t
=
∫
,
ln (ln 1)ad a
λλλ λ
=
−
∫
.
[Бэйтмен, Эрдейи, с.53, (45)]
00 0
2222
0
212
()()cos()
() ()
ar
KmaImr m dm K
ar ar
ζ
π
ζζ
∞
=
++ ++
∫
.
где Fdn ( r , z, zd ) – поле в n-слойном цилиндрически-слоистом полупространстве и Fd (r , z ± zd ) – поле в пространстве. Тогда, например, для вертикальной компоненты электрического поля диполя получаем Iρ ( z − zd ) 2 Iρ ( z + zd ) 2 E1z = − (1 − 3 ) + (1 − 3 ) = 0 . z =0 4 π R− 3 R 2 − 4π R 3 + R 2 + z =0 ρk Er Рис.3.15. Диполь. Графики кажущегося сопротивления = ( 0) для ρ1 Er трехслойной модели с параметрами : ρ1=1 омм, ρ2=1.2 10-7 омм, ρ3=1000 омм; a=0.1 м, h=0.01 м , zd = 500. По оси абсцисс отложены значения r, изменяющиеся от 0.11 м со знаменателем геометрической прогрессии q = 2.0. Значения z изменяются от 0 до 500 м с шагом 50 м. Пунктиром изображен график двухслойной кривой кажущегося сопротивления, полученный из трехслойной кривой при ρ1 = ρ2 . Приложение. Отметим полезные интегралы, которые используются в процессе построения квадратур: sin ζλ ln(aλ ) − Si(ζλ ) π sgn(ζλ ) ∫ ln λ a cosλζ d λ = ζ + 2 ζ , d sin ζ d ln(ad ) − Si (ζ ) ∫o ln λ a cos λζ d λ = ζ , z sin t Si( z ) = ∫ dt , ∫ ln λ a d λ = λ (ln aλ −1) . 0 t [Бэйтмен, Эрдейи, с.53, (45)] 2 ∞ 1 2 ar π ∫0 0 K (ma)I0 (mr )cos(mζ )dm = K0 2 . ζ + (a + r ) 2 ζ + (a + r ) 2 2 143
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 141
- 142
- 143
- 144
- 145
- …
- следующая ›
- последняя »