ВУЗ:
Рубрика:
63
1
2
: lim [ ( ... )]
12
*
0
11
n
R cth h arcth cth h arcth
R
n
ρ
ρ
λλ
ρρ
ω
==+ ++
→
−
.
Рис. 2.4. Поле погруженного диполя. Графики изменения Re Ex с глубиной
частотах f
1
=10 Кгц, f
2
=5 Кгц, f
3
=2.5 Кгц, f
4
=1.25 Кгц, f
0
=0 гц.
Шифр кривых соответствует номеру частоты в группе.
Меняя порядок интегрирования и дифференцирования, получим
()
2
11
1
1
2
0
I
Ux
ERJrd
x
xrrrr
ρ
∂∂
λ
λλ
∂π ∂
∞
=− = +
∫
. (2.1.2.30)
В согласии с (2.1.2.20) при ω = 0 для однородного полупространства получаем
2
1
:31
32
2
I
x
E
x
rr
ρ
π
=
−
.
Относительное кажущееся сопротивление ρ
k
/ρ
1
обычно определяется
посредством деления напряженности электрического поля на поверхности
горизонтально-слоистой среды на напряженность электрического поля на
поверхности однородного полупространства
1 ρ ρ
R := lim = cth[λ h + arcth 2 cth(λ h + ... + arcth n )] .
ω →0 R* 1 ρ1 2 ρn−1
Рис. 2.4. Поле погруженного диполя. Графики изменения Re Ex с глубиной
частотах f1=10 Кгц, f2=5 Кгц, f3=2.5 Кгц, f4=1.25 Кгц, f0=0 гц.
Шифр кривых соответствует номеру частоты в группе.
Меняя порядок интегрирования и дифференцирования, получим
∂ U I ρ1 ∞ 1 x 2 ∂ 1
Ex = − = R + J (λr ) λ dλ . (2.1.2.30)
∂ x 2π 0∫ r r ∂ r r 1
В согласии с (2.1.2.20) при ω = 0 для однородного полупространства получаем
I ρ x2
E x := 1 3 − 1 .
2π r 3 r 2
Относительное кажущееся сопротивление ρk /ρ1 обычно определяется
посредством деления напряженности электрического поля на поверхности
горизонтально-слоистой среды на напряженность электрического поля на
поверхности однородного полупространства
63
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- …
- следующая ›
- последняя »
