Получение тонких пленок сложного состава методом испарения и конденсации в вакууме. Юраков Ю.А. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

4
давления. Большинство галогенидов при испарении дают полимолекуляр-
ные образования в соответствии с формулой
nn
nAB(
т,ж) = AB(г),
(2)
где n = 2, 3. Доля двойных или тройных образований в парах хлоридов ще-
лочных металлов достаточно велика, и повышается с понижением темпе-
ратуры испарения. Примерами таких материалов являются NaCl, KCl,
AgCl, MgF
2
.
Испарение с диссоциацией. Халькогениды
Халькогениды двойные химические соединения элементов шестой
группы периодической системы элементов халькогенов с металлами.
К халькогенам относятся кислород, сера, селен, теллур.
Для бинарных соединений часто наблюдается испарение с диссо-
циацией по следующей схеме
2
1
AB(
т) = А(г) + В (г).
2
(3)
Примерами полной диссоциации являются соединения А
II
В
VI
. Следу-
ет отметить, что одинаковая летучесть обоих составляющих соединения
является необходимым, но не достаточным условием получения пленки.
Составляющие соединения А(г) и 1/2В
2
(г) должны сначала адсорбировать-
ся на подложке в необходимом соотношении, а затем соединиться с обра-
зованием фазы АВ. Различие в коэффициентах прилипания может привести
к недостатку неметаллической компоненты или избытку металлической.
Пленки могут быть неоднородными вследствие неполной рекомбинации.
Для завершения этого процесса используют осаждение на нагретые под-
ложки (150–250 °С для CdTe и CdS).
Халькогениды двухвалентных элементов (А
IV
В
VI
) также летучи, но
отличаются степенью диссоциации. Фазы SiS, GeS, SnS, PbS испаряются
главным образом в виде молекул, но термодинамическая стабильность
этих сульфидов снижается в этом ряду от Si к Pb. Аналогично ведут себя
селениды и теллуриды элементов четвертой группы.