Основы конструирования и надежности электронных средств. Винников В.В. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

35
Помимо полуреплик, на практике широко применяются ДФЭ более
высокой дробности -1/4 реплики, 1/8 реплики и т. д.
Рассмотрим 1/4 реплики 2
5—2
. Здесь возможно очень большое число
вариантов, в частности, если приравнивать x
4
к парному, а х
5
к тройному
взаимодействию, возможны 12 различных вариантов:
1.
x
4
= x
1
x
2
;
x
5
= x
1
x
2
x
3
;
2.
x
4
= x
1
x
2
; x
5
= - x
1
x
2
x
3
;
3.
x
4
= -x
1
x
2
;
x
5
= x
1
x
2
x
3
;
4. x
4
=-x
1
x
2
;
x
5
= -x
1
x
2
x
3
;
5. x
4
=x
1
x
3
; x
5
=x
1
x
2
x
3
;
6. x
4
=x
1
x
3
; x
5
=-x
1
x
2
x
3
;
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Допустим, выбран пятый вариант
x
4
=x
1
x
3
; x
5
=x
1
x
2
x
3
.
Тогда определяющим контрастом являются
1=x
1
x
3
х
4
и 1=x
1
x
2
x
3
х
5
.
Если перемножить эти определяющие контрасты, то получится третье
соотношение
1 = x
2
x
4
x
5
.
Чтобы полностью охарактеризовать разрешающую способность реплики,
необходимо записать так называемый обобщающий определяющий
контраст ООК
1= х
1
х
3
х
4
= х
2
х
4
х
5
= х
1
х
2
х
3
х
5
.
В этом случае система смешивания определяется умножением ООК
последовательно на х
1
, x
2
, x
з
и т. д. Аналогичным образом находятся ООК
и система смешивания для реплик более высокой дробности.
В заключение покажем, как строится матрица планирования ДФЭ на
примере главной полуреплики 2
4—1
.
1. Запишем ГС для одного из факторов

Страницы