Конструирование и расчет элементов тонкостенных сосудов. Виноградов С.Н - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

б
а
в
Рис. 12. Схема к определению мембранных напряжений в оболочке:
а − оболочка; б − элемент стенки; в − часть оболочки
На гранях элемента возникают напряжения
m
σ
и
t
σ
. Первое на-
пряжение называют меридиональным напряжением. Второе на-
пряжение называют окружным напряжением. Напряжения
m
σ
t
σ
m
σ
и , умноженные на соответствующие площади граней элемента,
дадут силы
t
σ
mt
s
dsσ
и
tm
s
ds
σ
(рис. 13). Равнодействующая этих сил в
направлении, нормальном к поверхности элемента
t
ttm
t
ds
ab bcd ds s=θ=σ
ρ
.
Рис. 13. Схема действия усилий на элемент оболочки
44
                                  б

             а                                            в

      Рис. 12. Схема к определению мембранных напряжений в оболочке:
              а − оболочка; б − элемент стенки; в − часть оболочки

   На гранях элемента возникают напряжения σm и σ t . Первое на-
пряжение σm называют меридиональным напряжением. Второе на-
пряжение σt называют окружным напряжением. Напряжения σm
и σ t , умноженные на соответствующие площади граней элемента,
дадут силы σ m sdst и σt sdsm (рис. 13). Равнодействующая этих сил в
направлении,         нормальном      к      поверхности    элемента
                       dst
ab = bcd θt = σt dsm s     .
                       ρt




            Рис. 13. Схема действия усилий на элемент оболочки




                                      44

Страницы