Оптические методы исследования вещества. Волошина Т.В - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
Таким образом, контур полос поглощения многоатомных молекул
может либо иметь гладкую колоколообразную форму, либо обнаруживать
следы колебательной структуры, либо иметь отчетливо проявляющуюся
колебательную структуру.
Для характеристики электронной полосы используют следующие
параметры: значение интенсивности (коэффициента поглощения) в
максимуме полосы, положение полосы в шкале длин волн или волновых
чисел, полуширина полосы, фактор асимметрии, показатель тонкой
структуры, интегральная интенсивность.
Положение полосы, как правило, характеризуется длиной волны
λ
max
(или ν
max
), соответствующей максимуму поглощения. Длина волны
(или частота) максимума полосы поглощения легко определяется в случае
узких электронных полос. Для широких полос λ
max
может быть
установлена тремя способами. В наиболее распространенном из них
проводят касательную к максимуму спектральной полосы параллельно оси
абсцисс. Абсцисса точки касания и соответствует λ
max
или ν
max
. Во втором
способе проводят несколько прямых, пересекающих контур полосы
поглощения и параллельных оси абсцисс. Отрезки этих прямых внутри
контура делят пополам и через их середины проводят плавную линию .
Абсцисса точки пересечения этой линии и кривой ε(ν) будет
соответствовать λ
max
. И наконец, в третьем способе , который мало
применим для анализа асимметричных полос, λ
max
определяется как
абсцисса середины отрезка , проведенного параллельно оси абсцисс при
интенсивности, равной половине максимальной.
Полуширина полосы ∆ λ
1/2
(или ∆ν
1/2
) представляет собой
расстояние в шкале длин волн или волновых чисел между точками кривой
поглощения, в которых интенсивность поглощения равна половине
значения в максимуме полосы .
∆λ
1/2
= λ
2
- λ
1
; ∆ν
1/2
= ν
1
- ν
2
.
Фактор асимметрии определяется как:
ρ = (ν
max
- ν
2
)/(ν
1
- ν
max
),
где , ν
1
и ν
2
- частоты, соответствующие половинному значению
максимального поглощения.
В спектрах поглощения растворенных веществ сложный контур
полос поглощения определяется, как правило, колебательной структурой.
Для характеристики структурности электронной полосы вводят показатель
тонкой структуры (К
тс
), который равен отношению разности площадей под
кривыми, огибающими вибронные максимумы сверху (1) и снизу (2) к
внутренней площади:
К
тс
= (S
1
- S
2
)/S
2
.
Для отчетливо выраженной колебательной структуры К
тс
>10
-1
, при слабо
выраженной К
тс
< 10
-2
.

Страницы