Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ. Воронцов В.Н - 30 стр.

UptoLike

Параметры Значения исходных данных в соответствии с цифрой шифра
1 2 3 4 5 6 7 8 9 0
Предпоследняя цифра шифра
Номинал резистора
R1, Ом
15600 2400 12400 4200 11600 3800 14400 1800 13800 4800
Номинал резистора
R2, Ом
7800 1200 6200 2100 5800 1900 7200 900 9600 2400
Количество микро-
сборок на подложке
1 2 1 2 1 2 1 2 1 2
Последняя цифра шифра
Номинал конденса-
тора С1, пФ
2000 3800 2000 4700 2400 3000 4300 5600 3300 5100
Номинал конденса-
тора С2, пФ
4000 7800 4400 9400 4800 6000 8600 11200 6600 10200
Рабочее напряже-
ние конденсаторов,
В
9 12 3,9 10 8 3,8 11 6 3,7 7
Материал диэлек-
трика конденсато-
ров
GeO SiO Sb
2
S
3
SiO GeO Sb
2
S
3
SiO GeO Sb
2
S
3
SiO
Мощность рассея-
ния каждого рези-
стора, мВт
14 9 13 7 12 8 11 5 10 6
Материал резисто-
ров
МЛТ-3М Gr МЛТ-3М Ta МЛТ-3М Gr NiGr Ta NiGr Gr
Технология изго-
товления
Термическое
испарение
Плазменное
распыление
Термическое
испарение
Ионно-
плазменное
распыление
Термическое
испарение
Термическое
испарение
Ионно-
плазменное
распыление
Термическое
испарение
Термическое
испарение
Ионно-
плазменное
распыление