Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ. Воронцов В.Н - 31 стр.

UptoLike

Таблица 2
Электрические
характеристики
материала
Удельное
сопротивле-
ние R , Om
Удельная
мощность
рассеива-
ния W
0
,
Вт/см
Диэлектри-
ческая про-
ницаемость
E
Электрическая
прочность
Eпр, В/см
Тангенс угла ди-
электрических
потерь tg δ
Ta 500 2 - - -
NiCr 300 1 - - -
Cr 500 2 - - -
МЛТ-3М 500 1 - - -
Al
0,2- при
толщине
пленки 0,25;
0,06 - при
толщине
пленки 0,5
мкм
- - - -
SiO - - 5 2*10
6
0.002
Sb
2
S
3
- - 20 2*10
5
0.004
GeO - - 10 7*10
5
0.001
где d -толщина пленки диэлектрика, см;
U
р
- рабочее напряжение конденсатора, В;
k - коэффициент, учитывающий дефекты в пленке диэлектрика (k=3 ... 4);
E
пр
- электрическая прочность диэлектрика, В/см;
S
в
- площадь верхней обкладки конденсатора, см
2
;
ε
- диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика;
С - номинал емкости конденсатора, пФ;
N - число обкладок в конденсаторе (следует принять N=2);
tg δ - тангенс угла потерь конденсатора;
tg δ
д
- тангенс угла потерь материала диэлектрика;
ω - круговая частота; 1 Мгц;
r
в
- сопротивление верхней обкладки, Ом;
r
н
- сопротивление нижней обкладки, Ом.