Составители:
Рубрика:
13
волновых функций), а разрыхляющие – в противофазе (различные знаки
волновых функций). На рис. 6 показаны различные способы перекрывания АО s-
и p-типа, а также гибридных АО в обобщенной форме (sp
n
). При образовании
связывающих МО электронная плотность (вероятность нахождения электрона) в
области пространства между атомными ядрами возрастает, тогда как при
образовании разрыхляющих МО в данной области пространства образуется
узловая поверхность, где вероятность нахождения электрона равна нулю.
По симметрии МО подразделяют на σ- и π-орбитали. σ-Орбитали
обладают цилиндрической симметрией и не имеют узловых поверхностей,
проходящих через атомные ядра. π-Орбитали антисимметричны относительно
проходящей через ядра атомов плоскости и имеют одну узловую поверхность.
Следует отметить, что s-орбитали и гибридные АО могут образовывать только
σ-орбитали. p-Орбитали образуют также и орбитали π-типа.
В электронных переходах участвуют валентные МО. Среди последних
наиболее важное значение имеют граничные орбитали: высшая занятая (ВЗМО)
и низшая свободная молекулярные орбитали (НСМО).
Классификация электронных переходов. Исторически первой
классификацией переходов было разделение полос поглощения на K- и R-
полосы (А. Буравой, 1939 г.). K-полосы (нем. konjugiert – сопряженный) –
полосы высокой интенсивности, характерные для систем, содержащих
сопряженные связи. R-полосы (нем. radikalartig – радикальный) – полосы
средней или низкой интенсивности характерные для систем, содержащих
неподеленные электронные пары. Растворитель и введение заместителя по-
разному влияют на K- и R-полосы. При переходе от неполярного растворителя к
полярному или введении полярного заместителя K-полосы претерпевают
батохромный сдвиг, а R-полосы – гипсохромный сдвиг. Полосы, обусловленные
наличием в молекуле кратной (этиленовой) связи называют E-полосами
(ethylenic), а бензоидной системы – B-полосами (benzenoid).
Позднее (Р. Малликен, 1941 г.) было предложено классифицировать
электронные переходы в соответствии со свойствами электронных состояний.
Основное состояние получило обозначение N, возбужденные состояния в
пределах одного электронного уровня – Q и V (возбуждение с несвязывающей и
со связывающей орбитали соответственно), а более высокие по энергии
возбужденные состояния – R. Таким образом, возможны три типа электронных
переходов: N→R (Ридберговы переходы), N→V и N→Q. Переходы N→V, N→Q
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
