ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
Поверхность образца устанавливают под различными углами ψ между
нормалью N
ψ
к поверхности образца и направлением N
o,
которое делит по-
полам угол между падающим и отраженным лучом. Для каждого положе-
ния образца регистрируют выбранную рентгеновскую линию hkl под уг-
лом θ >70
o
. Напряжение σ
x
рассчитывают исходя из положения максимума
линии hkl по формуле
σ
x
=E(sinθ
┴
– sinθ
ψ
)/(1+μ)sin
2
ψ sinθ
ψ
, (1)
где E – модуль упругости; μ – коэффициент Пуассона; θ
┴
– положение
максимума для случая, когда ψ = 0; θ
ψ
– положение максимума для съемки
под углом ψ.
Формулу (1) можно упростить, если считать углы θ
┴
и θ
ψ
близкими.
В этом случае:
σ
x
=
K
1
Δ(2θ
ψ
)/sin
2
ψ, (2)
где Δ(2θ
ψ
) – выраженная в градусах разность в положении максимумов ли-
нии hkl для съемки под углами ψ и ψ = 0.
По наклону прямой зависимости Δ(2θ
ψ
) от sin
2
ψ, то есть по величине
tgα = Δ(2θ
ψ
)/sin
2
ψ определяют:
σ
x
=
K
1
tgα. (3)
Экспериментальная часть
Подготовка образца. Если требуется определить напряжения непо-
средственно на поверхности, то специальная подготовка образца не требу-
ется. Если требуется определить ориентированные микронапряжения в
глубине материала, то можно провести опиливание вручную, так как меха-
ническая обработка создает собственные зональные напряжения.
При отклонении отражающих плоскостей на угол ψ возможны изме-
нения настройки дифрактометра. Чтобы исключить эту ошибку, на по-
верхность образца необходимо нанести эталон. В качестве эталона приме-
няют отожженные порошки с зернистостью < 20 мкм (Ag, W). Поверх-
ность образца смазывают тонким слоем вазелина и наносят на нее эталон
слоем толщиной < 20мкм.
Рентгенодифракционная съемка:
Съемку проводят на дифрактометре ДРОН-4 в режиме пошагового
сканирования.
Условия
съемки рентгеновских дифрактограмм:
− ширина щелей на выходе рентгеновской трубки: вертикальной –1 мм,
горизонтальной – 6мм;
− ширина щели перед детектором – 0,5мм;
− напряжение рентгеновской трубки – 35kV;
