ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Все результаты вычислений занести в таблицу:
hkl
I
2θ
F
эксп
F
теор
В
110
220
Контрольные вопросы
1. Влияние температуры на интенсивность дифракционных максиму-
мов. Тепловой фактор интенсивности.
2. Статические и динамические искажения кристаллической решетки.
3. Методика расчета теплового фактора интенсивности.
Литература
1. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия /
Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов и др. – М. : Металлургия, 1982.
2. Порай-Кошиц М.А. Основы структурного анализа химических со-
единений / М.А. Порай-Кошиц. – М. : Высшая школа, 1989.
3 Русаков Ф.Ф. Рентгенография металлов / Ф.Ф. Русаков. – М. : Атом-
издат, 1977.
Лабораторная работа № 4
Измерение ориентированных микронапряжений
рентгенодифракционным методом
Цель работы: изучить методику измерения ориентированных микрона-
пряжений дифрактометрическим методом.
Ориентированные микронапряжения отличаются от остаточных зо-
нальных напряжений тем, что они вызваны особенностями внутренней
структуры материала и не снимаются при вырезке образца. Поэтому дан-
ным методом можно измерить напряжения в композиционных материалах,
вызванные различиями в физических свойствах волокна и матрицы;
на-
пряжения, возникающие при направленной пластической деформации,
ориентированном распаде, поверхностном наклепе или поверхностной
термообработке и т.д. Данный метод можно использовать для любых ма-
териалов (алюминиевые, титановые, никелевые сплавы и др.), для которых
удается получить достаточно интенсивные рентгеновские линии с θ > 70°.
Определение напряжения в заданном направлении проводят sin
2
ψ-
методом, позволяющим определить напряжение σ
x
на поверхности образца
в заданном направлении x. Образец (рис. 1) закрепляют на дифрактометре
в держателе таким образом, чтобы направление x лежало в плоскости ди-
фракции (в горизонтальной плоскости, если ось гониометра вертикальна).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »