ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
20
модификации поверхности подложки методом полевого
испарения также могут применяться вольфрамовые зонды с
металлическим покрытием. В работе [25] при приложении
отрицательных импульсов напряжения к зондам с Au или Al
покрытием было отмечено увеличение размеров наноразмерных
структур в виде точек.
Для формирования наноструктур методом полевого
испарения также может применяться АСМ. В работе [26] на
поверхности пленки SiO
2
, нанесенной на кремниевую подложку,
были сформированы наноструктуры шириной более 100 нм и
высотой 2 - 10 нм, при приложении к зонду с золотым
покрытием импульсов напряжения амплитудой 30 В. При
толщине пленки SiO
2
менее 1 нм и приложении меньших
напряжений к зонду АСМ (порядка – 2 В) были получены
наноструктуры в виде точек из Au с шириной 10 нм [27].
1.2.3. Dip-Pen литография
При проведении Dip-pen нанолитографии (ДПН) за счет
диффузии происходит осаждение адсорбированных на
поверхности зонда АСМ так называемых «чернил» (ink) на
локальную область поверхности подложки, например осаждение
органических молекул с зонда на поверхность слюды. В работе
[28] было показано ДПН структурирование самособирающихся
монослоев актонетиола на поверхности подложки из золота. С
помощью метод ДПН могут быть структурированы
определенные виды протеинов, а также молекулы ДНК. В
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
