Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

43
лупроводник (или в обратном направлении), но не участвующий в активных
процессах, которые происходят в р-n-переходе.
Физические и механические свойства омических контактов должны
удовлетворять ряду требований. Одно из них - малое электрическое сопро-
тивление, которое является существенным при р — n — переходах. Это свя-
зано с тем, что в диодах сопротивление омического контакта снижает отно-
шение обратного сопротивления к прямому сопротивлению и, следователь-
но, снижает коэффициент полезного действия. Другое требование сводится
к минимальной генерации на контакте неосновных носителей заряда при
прохождении тока. Если допустить такую генерацию, то последующая диф-
фузия неосновных носителей заряда в полупроводник приводит к повыше-
нию обратного тока.
Получение контактов малого сопротивления требует особого внима-
ния. Если омические свойства в объеме полупроводника и металла сохраня-
ются вплоть до границы раздела между ними, и вблизи этой границы не воз-
никают потенциальные барьеры, то сопротивление контакта не может быть
выше суммы последовательных сопротивлений металла и полупроводника,
образующих контакт.
Мотт и Шотки в своей теории запирающего слоя определили усло-
вия для устранения выпрямления на контакте металл – полупроводник. Для
этого необходимо выбрать металлический электрод с работой выхода мень-
шей, чем у полупроводника, если он имеет электронную проводимость. А
если он имеет дырочную проводимость, то работа выхода у металла должна
быть больше, чем у полупроводника.
Омические контакты можно изготовить пайкой, вплавлением, свар-
кой, напылением, электрохимическим и химическим нанесением покрытий
и другими операциями.
Названными методами было получено некоторое число туннельных
диодов с омическими контактами, по результатам их исследований можно
дать характеристику методов. 
лупроводник (или в обратном направлении), но не участвующий в активных
процессах, которые происходят в р-n-переходе.
       Физические и механические свойства омических контактов должны
удовлетворять ряду требований. Одно из них - малое электрическое сопро-
тивление, которое является существенным при р — n — переходах. Это свя-
зано с тем, что в диодах сопротивление омического контакта снижает отно-
шение обратного сопротивления к прямому сопротивлению и, следователь-
но, снижает коэффициент полезного действия. Другое требование сводится
к минимальной генерации на контакте неосновных носителей заряда при
прохождении тока. Если допустить такую генерацию, то последующая диф-
фузия неосновных носителей заряда в полупроводник приводит к повыше-
нию обратного тока.
       Получение контактов малого сопротивления требует особого внима-
ния. Если омические свойства в объеме полупроводника и металла сохраня-
ются вплоть до границы раздела между ними, и вблизи этой границы не воз-
никают потенциальные барьеры, то сопротивление контакта не может быть
выше суммы последовательных сопротивлений металла и полупроводника,
образующих контакт.
       Мотт и Шотки в своей теории запирающего слоя определили усло-
вия для устранения выпрямления на контакте металл – полупроводник. Для
этого необходимо выбрать металлический электрод с работой выхода мень-
шей, чем у полупроводника, если он имеет электронную проводимость. А
если он имеет дырочную проводимость, то работа выхода у металла должна
быть больше, чем у полупроводника.
       Омические контакты можно изготовить пайкой, вплавлением, свар-
кой, напылением, электрохимическим и химическим нанесением покрытий
и другими операциями.
       Названными методами было получено некоторое число туннельных
диодов с омическими контактами, по результатам их исследований можно
дать характеристику методов.

                                                                    43

Страницы