Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

45
(предварительная обработка: резка, шлифовка, полировка, травление, обез-
жиривание) полупроводниковые заготовки из антимонида индия (JnSb),
подвергаются дополнительной обработке импульсом лазера Квант -12 с
энергией, необходимой для диссипации окислов в месте наложения кон-
тактного материала. Сразу же за этим на обработанную импульсом лазера
поверхность антимонида индия (JnSb) помещается контактный материал в
виде фольги, который вплавляется импульсом лазера Квант - 12 с более вы-
сокой энергией. Указанные операции осуществляются на воздухе.
Наличие на поверхности антимонида индия (JnSb) окисной пленки и
адсорбированных газов, а также возможные повреждения поверхности при
термическом воздействии являются основными препятствиями для получе-
ния качественных омических контактов на антимониде индия (JnSb). В
предлагаемом методе импульсы лазера обеспечивают диссипацию окислов,
десорбцию газов и расплавление помещенного на поверхности антимонида
индия (JnSb) материала контакта.
Энергия импульса дополнительной обработки материала выбирается
из условия нагрева антимонида индия (JnSb) в месте будущего контакта
выше температуры диссоциации окислов. Толщина фольги контактного ма-
териала должна быть такой, чтобы обеспечить заданный объем контакта.
Интенсивность основного импульса определяется из условия плавления ма-
териала контакта и получения на поверхности полупроводника материала
определенной температуры.
Использование двух импульсов лазерного излучения различной ин-
тенсивности, сдвинутых во времени на интервал времени, необходимый для
наложения фольги на подготовленное место контакта, позволяет значитель-
но уменьшить промежуток времени между операциями. Дополнительной
обработки поверхности полупроводника при этом не требуется. Вплавление
контакта производится без привлечения для выполнения этих операций
сложного и дорогого технологического оборудования. 
(предварительная обработка: резка, шлифовка, полировка, травление, обез-
жиривание) полупроводниковые заготовки из антимонида индия (JnSb),
подвергаются дополнительной обработке импульсом лазера Квант -12 с
энергией, необходимой для диссипации окислов в месте наложения кон-
тактного материала. Сразу же за этим на обработанную импульсом лазера
поверхность антимонида индия (JnSb) помещается контактный материал в
виде фольги, который вплавляется импульсом лазера Квант - 12 с более вы-
сокой энергией. Указанные операции осуществляются на воздухе.
       Наличие на поверхности антимонида индия (JnSb) окисной пленки и
адсорбированных газов, а также возможные повреждения поверхности при
термическом воздействии являются основными препятствиями для получе-
ния качественных омических контактов на антимониде индия (JnSb). В
предлагаемом методе импульсы лазера обеспечивают диссипацию окислов,
десорбцию газов и расплавление помещенного на поверхности антимонида
индия (JnSb) материала контакта.
       Энергия импульса дополнительной обработки материала выбирается
из условия нагрева антимонида индия (JnSb) в месте будущего контакта
выше температуры диссоциации окислов. Толщина фольги контактного ма-
териала должна быть такой, чтобы обеспечить заданный объем контакта.
Интенсивность основного импульса определяется из условия плавления ма-
териала контакта и получения на поверхности полупроводника материала
определенной температуры.
       Использование двух импульсов лазерного излучения различной ин-
тенсивности, сдвинутых во времени на интервал времени, необходимый для
наложения фольги на подготовленное место контакта, позволяет значитель-
но уменьшить промежуток времени между операциями. Дополнительной
обработки поверхности полупроводника при этом не требуется. Вплавление
контакта производится без привлечения для выполнения этих операций
сложного и дорогого технологического оборудования.



                                                                    45

Страницы