Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

46
Предлагаемый процесс изготовления омических контактов состоит
из следующих операций:
1. подготовленная заготовка антимонида индия необходимого разме-
ра помещается на предметный столик лазерной установки Квант- 12 и сов-
мещается с точкой падения луча лазера;
2. на выбранное место поверхности заготовки подается одиночный
импульс лазерного излучения с энергией, необходимой для диссипации
окислов.
3. на обработанное место поверхности заготовки накладывается
фольга контактного материала (индия) толщиной 200÷300 мкм;
4. наложенная фольга контактного материала облучается импульсом
лазерного излучения с энергией, необходимой для вплавления индия в JnSb.
Экспериментальные исследования показали хорошие омические
свойства контакта (малая величина переходного электрического сопротив-
ления, линейность, симметричность вольтамперной характеристики), высо-
кую механическую прочность, высокую воспроизводимость результатов.
Предложенный метод обладает целым рядом преимуществ. Допол-
нительная обработка лазерным излучением с энергией в импульсе, необхо-
димой для диссипации окислов, и малая длительность следования импуль-
сов диссипации и вплавления, обусловливают повышение качества контак-
тов. Кроме того, степень качества повышается, так как площадь контакта
может быть выбрана в требуемых пределах. Местоположение контакта мо-
жет быть выбрано с точностью, обусловленной фиксированием нахождения
пятна луча лазера. Форма сечений площадей потенциальных контактов мо-
жет быть выбрана с большей степенью подобия. Устраняются операции
гальванического или вакуумного нанесения меди или индия.
Описанные операции легко могут быть автоматизированы, что поз-
волит автоматизировать процесс изготовления омического контакта типа
металл – полупроводник на туннельном диоде из антимонида индия (JnSb). 
       Предлагаемый процесс изготовления омических контактов состоит
из следующих операций:
       1. подготовленная заготовка антимонида индия необходимого разме-
ра помещается на предметный столик лазерной установки Квант- 12 и сов-
мещается с точкой падения луча лазера;
       2. на выбранное место поверхности заготовки подается одиночный
импульс лазерного излучения с энергией, необходимой для диссипации
окислов.
       3. на обработанное место поверхности заготовки накладывается
фольга контактного материала (индия) толщиной 200÷300 мкм;
       4. наложенная фольга контактного материала облучается импульсом
лазерного излучения с энергией, необходимой для вплавления индия в JnSb.
       Экспериментальные исследования показали хорошие омические
свойства контакта (малая величина переходного электрического сопротив-
ления, линейность, симметричность вольтамперной характеристики), высо-
кую механическую прочность, высокую воспроизводимость результатов.

       Предложенный метод обладает целым рядом преимуществ. Допол-
нительная обработка лазерным излучением с энергией в импульсе, необхо-
димой для диссипации окислов, и малая длительность следования импуль-
сов диссипации и вплавления, обусловливают повышение качества контак-
тов. Кроме того, степень качества повышается, так как площадь контакта
может быть выбрана в требуемых пределах. Местоположение контакта мо-
жет быть выбрано с точностью, обусловленной фиксированием нахождения
пятна луча лазера. Форма сечений площадей потенциальных контактов мо-
жет быть выбрана с большей степенью подобия. Устраняются операции
гальванического или вакуумного нанесения меди или индия.

       Описанные операции легко могут быть автоматизированы, что поз-
волит автоматизировать процесс изготовления омического контакта типа
металл – полупроводник на туннельном диоде из антимонида индия (JnSb).


                                                                         46

Страницы