Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

48
Таким образом, использование лазерной технологии позволяет полу-
чить механически и электрически надежный омический контакт к JnSb,
имеющий малую площадь, точное месторасположение и линейную вольтам-
перную характеристику.
2.3.3. Технология получения полупроводниковых плёнок антимони-
да индия (JnSb) методом дискретного распыления.
Известны различные методы получения тонких плёнок соединений
типа А
3
В
5
. Эти соединения при нагревании могут разлагаться на составные
компоненты, и вследствие разной упругости паров этих компонентов трудно
получить плёнку стехиометрического состава путём обычного термического
испарения в вакууме сплавов этих соединений.
Вследствие указанной особенности для получения плёнок сплавов,
содержащих компоненты отличающиеся друг от друга по давлению паров,
применяются следующие методы:
1. метод катодного распыления;
2. метод Векшинского;
3. метод трёх температур;
4. метод дискретного распыления.
Коротко рассмотрим каждый из этих методов.
1. Процесс получения тонких плёнок методом катодного распыления
заключается в использовании явления разрушения катода под действием его
бомбардировки ионизированными молекулами газа. Такое разрушение про-
исходит по всей поверхности катода, покрытой разрядом, и может осу-
ществляться при давлении от 1,0 до 10
-2
мм Hg. Частицы распылённого ма-
териала летят во все стороны, покрывая находящиеся под колпаком детали и
стенки колпака или возвращаясь к катоду в результате столкновения с моле-
кулами газа. 
       Таким образом, использование лазерной технологии позволяет полу-
чить механически и электрически надежный омический контакт к JnSb,
имеющий малую площадь, точное месторасположение и линейную вольтам-
перную характеристику.

       2.3.3. Технология получения полупроводниковых плёнок антимони-
да индия (JnSb) методом дискретного распыления.
       Известны различные методы получения тонких плёнок соединений
типа А 3 В 5 . Эти соединения при нагревании могут разлагаться на составные
компоненты, и вследствие разной упругости паров этих компонентов трудно
получить плёнку стехиометрического состава путём обычного термического
испарения в вакууме сплавов этих соединений.

       Вследствие указанной особенности для получения плёнок сплавов,
содержащих компоненты отличающиеся друг от друга по давлению паров,
применяются следующие методы:

       1. метод катодного распыления;
       2. метод Векшинского;
       3. метод трёх температур;
       4. метод дискретного распыления.
       Коротко рассмотрим каждый из этих методов.

       1. Процесс получения тонких плёнок методом катодного распыления
заключается в использовании явления разрушения катода под действием его
бомбардировки ионизированными молекулами газа. Такое разрушение про-
исходит по всей поверхности катода, покрытой разрядом, и может осу-
ществляться при давлении от 1,0 до 10-2 мм Hg. Частицы распылённого ма-
териала летят во все стороны, покрывая находящиеся под колпаком детали и
стенки колпака или возвращаясь к катоду в результате столкновения с моле-
кулами газа.




                                                                         48

Страницы