Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

47
Возможность получения омического контакта на воздухе, малая длитель-
ность лазерных импульсов обработки - вплавления и следования импульсов,
высокое качество контактов обуславливают высокую производительность,
так как время изготовления контактов уменьшается в 15-60 раз.
Исключение из линии сборки вакуумного или гальванического обо-
рудования, уменьшение брака продукции, снижение трудоемкости, возмож-
ность автоматизации позволяют уменьшить стоимость изготовления омиче-
ского контакта типа металл - полупроводник на туннельном диоде из анти-
монида индия.
Ни один из известных названных выше методов получения омиче-
ского контакта типа металл - полупроводник на туннельном диоде из анти-
монида индия не обладает вышеуказанным сочетанием преимуществ.
Для проверки качества омических контактов использовалась методи-
ка измерения динамических и статических вольтамперных характеристик
контактов в различных режимах.
Проверка качества омических контактов типа металл - полупровод-
ник на туннельных диодах из антимонида индия, изготовленных с использо-
ванием предложенного метода, осуществлена с помощью измерения дина-
мических и статических вольтамперных характеристик туннельных диодов
и датчиков Холла. Результаты проверки показали, что переходное сопротив-
ление омического контакта к базовому материалу туннельного диода мало
(меньше 1 Ом) и не обладает выпрямляющим действием (рис.2.6).
Рис.2.6 
Возможность получения омического контакта на воздухе, малая длитель-
ность лазерных импульсов обработки - вплавления и следования импульсов,
высокое качество контактов обуславливают высокую производительность,
так как время изготовления контактов уменьшается в 15-60 раз.

       Исключение из линии сборки вакуумного или гальванического обо-
рудования, уменьшение брака продукции, снижение трудоемкости, возмож-
ность автоматизации позволяют уменьшить стоимость изготовления омиче-
ского контакта типа металл - полупроводник на туннельном диоде из анти-
монида индия.

       Ни один из известных названных выше методов получения омиче-
ского контакта типа металл - полупроводник на туннельном диоде из анти-
монида индия не обладает вышеуказанным сочетанием преимуществ.

       Для проверки качества омических контактов использовалась методи-
ка измерения динамических и статических вольтамперных характеристик
контактов в различных режимах.

       Проверка качества омических контактов типа металл - полупровод-
ник на туннельных диодах из антимонида индия, изготовленных с использо-
ванием предложенного метода, осуществлена с помощью измерения дина-
мических и статических вольтамперных характеристик туннельных диодов
и датчиков Холла. Результаты проверки показали, что переходное сопротив-
ление омического контакта к базовому материалу туннельного диода мало
(меньше 1 Ом) и не обладает выпрямляющим действием (рис.2.6).




                                            Рис.2.6
                                                                       47

Страницы