Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 44 стр.

        Контакты, полученные пайкой, во многих случаях были удовлетво-
рительны. Метод прост и надежен. Основная трудность - индий плохо при-
паивается к кристаллам антимонида индия и арсенида индия при незначи-
тельном отклонении от технологии.
        Метод пайки с предварительным электролитическим осаждением
меди также относительно несложен. После нанесения меди контакты легче
припаиваются, но они недостаточно надежны. При нанесении меди на полу-
проводник поверхность кристалла загрязняется, после осаждения требуется
его дополнительная механическая обработка.
        С точки зрения получения хороших контактов интересен метод
вплавления в вакууме. Контакты получаются прочные, легко паяются, их
площадь можно сделать достаточно малой. Процесс требует специального
оборудования, большие требования предъявляются к характеристикам печи
и методике нанесения индиевых пластинок.
        Метод сварки позволяет создавать прочные точечные контакты на
несложной установке. При подобранном режиме контакты привариваются
быстро и надежно. Однако необходимо тщательно подбирать режим, так как
возможно нарушение поверхности кристалла. Контакты не всегда омиче-
ские.
        Метод втирания трудоемок и долог, но не требует специального обо-
рудования.
        Наиболее перспективным представляется метод изготовления оми-
ческого контакта с помощью лазера.
        Отметим, что современные технологии получения полупроводнико-
вых приборов из антимонида индия (JnSb) и арсенида индия (JnAs) и осо-
бенно омических контактов к ним приводит значительному разбросу пара-
метров контактов, и, как следствие, к малому выходу годных изделий.
        Авторами предложен способ получения омических контактов к ан-
тимониду индия (JnSb) с помощью лазера [15], сущность которого заключа-
ется в следующем. Полученные по обычному технологическому циклу

                                                                      44