ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
Задания
1. Рассчитать в приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с
учетом эффекта каналирования концентрационный профиль и глубины
залегания p-n переходов при внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ и
дозой 10
14
см
-3
в кремниевую подложку марки КДБ4.
Построить полученный концентрационный профиль.
Решение
Ниже приведено решение данной задачи средствами MathCAD2000
(листинг 1), а на рис. 4 дан график суммарной концентрации при
внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ и дозой 10
14
см
-2
в
кремниевую подложку марки КДБ4. Концентрационный профиль
рассчитывался в приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с
учетом эффекта каналирования.
Листинг 1
Исходная концентрация
в кремнии марки КДБ4
и доза имплантации
Ni
1
1.610
19−
⋅ 4⋅ 500⋅
cm
3−
⋅:= Q10
14
cm
2−
⋅:=
Параметры
распределения фосфора
в кремнии при 100 кэВ
Rp1.23810
5−
⋅ cm⋅:=∆Rp4.5710
6−
⋅ cm⋅:= Nm
Q
2 π⋅ ∆ Rp⋅
:=
Параметры экспонен -
циального “хвоста”
λ 6.710
6−
⋅ cm⋅:= F51:= R
0
Rp ∆Rp2lnF()⋅⋅+:=
Диапазон глубин
x0cm⋅ 10
6−
cm, 810
5−
⋅ cm⋅..:=
Расчет концентрационного профиля глубины залегания p-n перехода
Nx()ifxR
0
≤ Nme
xRp−()
2
2∆Rp
2
⋅
−
⋅ Ni−, Nme
R
0
Rp−
()
2
2∆Rp
2
⋅
−
⋅ e
xR
0
−
()
−
λ
⋅ Ni−,
:=
xj2R
0
λln
Qe
R
0
Rp−
(
)
2
−
2∆Rp
2
⋅
⋅
2 π⋅ ∆ Rp⋅ Ni⋅
⋅+:=
xj25.20210
7−
× m=
8 Зад ания 1. Рассчитать в приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с учетом эф ф екта каналирования концентрационны й проф иль и глубины залегания p-n перех од овпри внед рении ионов ф осф ора с энергией 100 кэВ и д озой 1014 см -3 вкрем ниевую под лож кум арки К Д Б4. Построитьполученны й концентрационны й проф иль. Реш ение Н иж е привед ено реш ение д анной зад ачи сред ствам и MathCAD2000 (листинг 1), а на рис. 4 д ан граф ик сум м арной концентрации при внед рении ионов ф осф ора с энергией 100 кэВ и д озой 1014 см -2 в крем ниевую под лож ку м арки К Д Б4. К онцентрационны й проф иль рассчиты вался в приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с учетом эф ф екта каналирования. Л истинг 1 И сх од ная концентрация 1 −3 −2 вкрем нии м арки К Д Б4 Ni := ⋅ cm 14 Q := 10 ⋅ cm − 19 и д оза им плантации 1.6 ⋅ 10 ⋅ 4 ⋅ 500 Парам етры −5 −6 Q распред еления ф осф ора Rp := 1.238 ⋅ 10 ⋅ cm ∆Rp := 4.57 ⋅ 10 ⋅ cm Nm := вкрем нии при 100 кэВ 2 ⋅ π ⋅ ∆Rp Парам етры экспонен- −6 λ := 6.7 ⋅ 10 ⋅ cm F := 51 R0 := Rp + ∆Rp ⋅ 2 ⋅ ln ( F) циального “х воста” Д иапазон глубин −6 −5 x := 0 ⋅ cm, 10 cm.. 8 ⋅ 10 ⋅ cm Расчетконцентрационного проф иля глубины залегания p-n перех од а ( R 0− Rp) 2 − x− R − ( x− Rp ) 2 − ( 0) 2⋅∆Rp2 N( x) := if x ≤ R 0, − Ni , Nm ⋅ e ⋅e 2 2⋅∆Rp λ Nm ⋅ e − Ni − ( R0−Rp ) 2 2 Q ⋅ e 2⋅∆Rp −7 xj2 := R0 + λ ⋅ ln xj2 = 5.202 × 10 m 2 ⋅ π ⋅ ∆Rp ⋅ Ni
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »