ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
Задания
1. Рассчитать в приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с
учетом эффекта каналирования концентрационный профиль и глубины
залегания p-n переходов при внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ и
дозой 10
14
см
-3
в кремниевую подложку марки КДБ4.
Построить полученный концентрационный профиль.
Решение
Ниже приведено решение данной задачи средствами MathCAD2000
(листинг 1), а на рис. 4 дан график суммарной концентрации при
внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ и дозой 10
14
см
-2
в
кремниевую подложку марки КДБ4. Концентрационный профиль
рассчитывался в приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с
учетом эффекта каналирования.
Листинг 1
Исходная концентрация
в кремнии марки КДБ4
и доза имплантации
Ni
1
1.610
19−
⋅ 4⋅ 500⋅
cm
3−
⋅:= Q10
14
cm
2−
⋅:=
Параметры
распределения фосфора
в кремнии при 100 кэВ
Rp1.23810
5−
⋅ cm⋅:=∆Rp4.5710
6−
⋅ cm⋅:= Nm
Q
2 π⋅ ∆ Rp⋅
:=
Параметры экспонен -
циального “хвоста”
λ 6.710
6−
⋅ cm⋅:= F51:= R
0
Rp ∆Rp2lnF()⋅⋅+:=
Диапазон глубин
x0cm⋅ 10
6−
cm, 810
5−
⋅ cm⋅..:=
Расчет концентрационного профиля глубины залегания p-n перехода
Nx()ifxR
0
≤ Nme
xRp−()
2
2∆Rp
2
⋅
−
⋅ Ni−, Nme
R
0
Rp−
()
2
2∆Rp
2
⋅
−
⋅ e
xR
0
−
()
−
λ
⋅ Ni−,
:=
xj2R
0
λln
Qe
R
0
Rp−
(
)
2
−
2∆Rp
2
⋅
⋅
2 π⋅ ∆ Rp⋅ Ni⋅
⋅+:=
xj25.20210
7−
× m=
8
Зад ания
1. Рассчитать в приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с
учетом эф ф екта каналирования концентрационны й проф иль и глубины
залегания p-n перех од овпри внед рении ионов ф осф ора с энергией 100 кэВ и
д озой 1014 см -3 вкрем ниевую под лож кум арки К Д Б4.
Построитьполученны й концентрационны й проф иль.
Реш ение
Н иж е привед ено реш ение д анной зад ачи сред ствам и MathCAD2000
(листинг 1), а на рис. 4 д ан граф ик сум м арной концентрации при
внед рении ионов ф осф ора с энергией 100 кэВ и д озой 1014 см -2 в
крем ниевую под лож ку м арки К Д Б4. К онцентрационны й проф иль
рассчиты вался в приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с
учетом эф ф екта каналирования.
Л истинг 1
И сх од ная концентрация
1 −3 −2
вкрем нии м арки К Д Б4 Ni := ⋅ cm
14
Q := 10 ⋅ cm
− 19
и д оза им плантации 1.6 ⋅ 10 ⋅ 4 ⋅ 500
Парам етры
−5 −6 Q
распред еления ф осф ора Rp := 1.238 ⋅ 10 ⋅ cm ∆Rp := 4.57 ⋅ 10 ⋅ cm Nm :=
вкрем нии при 100 кэВ 2 ⋅ π ⋅ ∆Rp
Парам етры экспонен- −6
λ := 6.7 ⋅ 10 ⋅ cm F := 51 R0 := Rp + ∆Rp ⋅ 2 ⋅ ln ( F)
циального “х воста”
Д иапазон глубин −6 −5
x := 0 ⋅ cm, 10 cm.. 8 ⋅ 10 ⋅ cm
Расчетконцентрационного проф иля глубины залегания p-n перех од а
( R 0− Rp) 2 − x− R
−
( x− Rp )
2
− ( 0)
2⋅∆Rp2
N( x) := if x ≤ R 0, − Ni , Nm ⋅ e ⋅e
2
2⋅∆Rp λ
Nm ⋅ e − Ni
− ( R0−Rp )
2
2
Q ⋅ e 2⋅∆Rp −7
xj2 := R0 + λ ⋅ ln xj2 = 5.202 × 10 m
2 ⋅ π ⋅ ∆Rp ⋅ Ni
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
