ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Оборудование и методы окисления в газовой и жидких средах: высокотемпературное
термическое сухое и влажное окисление, электрохимическое окисление, теоретические
модели окисления. Окисление и нитрирование в плазме. Диффузия примесей: распределение
примесей при диффузии, стадии загонки и разгонки примесей, оборудование и методы
диффузии из газообразных, жидких и твердых источников. Ионная имплантация:
распределение примесей, оборудование и методы ионной имплантации.
Высокоэнергетические сильноточные процессы ионной имплантации: окисление,
нитрирование, протонирование, радиационно- стимулированная диффузия, химический
синтез. Имплантография: жидкометаллические источники ионов, ионно-полевая эмиссия.
Низкоэнергетическая ионная имплантация методом погружения в плазму. Активация
процессов при ионном легировании и химическом синтезе: термический и корпускулярно-
лучевой отжиг.
7.1.7. Литографические процессы ( 6 часов).
Классификация базовых методов литографии: фото- , рентгено-, электроно- и
ионолитография. Литографический цикл: резисты и способы их нанесения, позитивные,
негативные, жидкие и сухие резисты; методы повышения адгезии, плазмостойкости;
планаризация, предэкспозиционная обработка, проявление и сушка. Фотошаблоны.
Аппаратура и способы совмещения и экспонирования. Пространственное разрешение.
Эволюция процессов экспонирования: высокоэффективные источники дальнего
ультрафиолета, оптическая литография с фазовым сдвигом, стереолитография, электроно-,
ионо-, рентгенолитография. Литография с использованием синхротронного излучения.
Объемная субмикронная литография.
7.1.8. Сборка и герметизация ( 4 часов).
Сборка микроэлектронных устройств: монтаж кристаллов, термокомпрессия,
ультразвуковая микросварка, пайка выводов; оборудование для микросборки;
беспроволочный монтаж. Герметизация микроэлектронных устройств: корпусная и
бескорпусная герметизации. Сварка: контактная, под давлением, лазерная, электронно-
лучева. Герметизация: пайка, обволакивание, заливка, прессование.
7.1.9. Интенсификация и интеграция процессов микро- и нанотехнологии ( 10 часов).
Физико-технологические и экономические ограничения миниатюризации и интеграции.
Нетермические методы активации физико-химических процессов: локальность,
избирательность, скорость протекания процессов. Активация процессов полем и излучением:
электрически стимулированная эпитаксия; фото- и СВЧ-стимулированные процессы
осаждения, окисления и травления. Туннельно-полевое модифицирование поверхности:
квантово-механические принципы локального переноса заряда, энергии, массы; технология
атомно-молекулярного массопереноса и модифицирования с наноразрешением. Базовые
принципы интеграции процессов: аппаратурная и топохимическая интеграция.
Самоформирование: интеграция физико-химических процессов на основе топохимической
селективности поверхности, структурно-топологические операции на основе анизотропии,
маски дифференциального действия, принцип матрицы. Интегрированные технологические
кластерные комплексы: минифабрики, нанотехнологические комплексы на основе
туннельно-полевого массопереноса и модифицирования. Системный подход к управлению
качеством продукции: ЕСТД и её применение, структура и функции АСУТП, оптимизация
контрольно-измерительных операций.
7.1.10. Заключение ( 2 часа).
Построение технологических процессов на основе оптимального сочетания принципов
управления, самоформирования, самоорганизации: адаптивный синтез микроэлектронных
структур, самосогласованные цепи технологических операций. Атомно-молекулярная
инженерия.
7.2.Форма проведения занятий.
Аудиторная и самостоятельная работа, консультации.
8. Практические занятия
Оборудование и методы окисления в газовой и жидких средах: высокотемпературное
термическое сухое и влажное окисление, электрохимическое окисление, теоретические
модели окисления. Окисление и нитрирование в плазме. Диффузия примесей: распределение
примесей при диффузии, стадии загонки и разгонки примесей, оборудование и методы
диффузии из газообразных, жидких и твердых источников. Ионная имплантация:
распределение примесей, оборудование и методы ионной имплантации.
Высокоэнергетические сильноточные процессы ионной имплантации: окисление,
нитрирование, протонирование, радиационно- стимулированная диффузия, химический
синтез. Имплантография: жидкометаллические источники ионов, ионно-полевая эмиссия.
Низкоэнергетическая ионная имплантация методом погружения в плазму. Активация
процессов при ионном легировании и химическом синтезе: термический и корпускулярно-
лучевой отжиг.
7.1.7. Литографические процессы ( 6 часов).
Классификация базовых методов литографии: фото- , рентгено-, электроно- и
ионолитография. Литографический цикл: резисты и способы их нанесения, позитивные,
негативные, жидкие и сухие резисты; методы повышения адгезии, плазмостойкости;
планаризация, предэкспозиционная обработка, проявление и сушка. Фотошаблоны.
Аппаратура и способы совмещения и экспонирования. Пространственное разрешение.
Эволюция процессов экспонирования: высокоэффективные источники дальнего
ультрафиолета, оптическая литография с фазовым сдвигом, стереолитография, электроно-,
ионо-, рентгенолитография. Литография с использованием синхротронного излучения.
Объемная субмикронная литография.
7.1.8. Сборка и герметизация ( 4 часов).
Сборка микроэлектронных устройств: монтаж кристаллов, термокомпрессия,
ультразвуковая микросварка, пайка выводов; оборудование для микросборки;
беспроволочный монтаж. Герметизация микроэлектронных устройств: корпусная и
бескорпусная герметизации. Сварка: контактная, под давлением, лазерная, электронно-
лучева. Герметизация: пайка, обволакивание, заливка, прессование.
7.1.9. Интенсификация и интеграция процессов микро- и нанотехнологии ( 10 часов).
Физико-технологические и экономические ограничения миниатюризации и интеграции.
Нетермические методы активации физико-химических процессов: локальность,
избирательность, скорость протекания процессов. Активация процессов полем и излучением:
электрически стимулированная эпитаксия; фото- и СВЧ-стимулированные процессы
осаждения, окисления и травления. Туннельно-полевое модифицирование поверхности:
квантово-механические принципы локального переноса заряда, энергии, массы; технология
атомно-молекулярного массопереноса и модифицирования с наноразрешением. Базовые
принципы интеграции процессов: аппаратурная и топохимическая интеграция.
Самоформирование: интеграция физико-химических процессов на основе топохимической
селективности поверхности, структурно-топологические операции на основе анизотропии,
маски дифференциального действия, принцип матрицы. Интегрированные технологические
кластерные комплексы: минифабрики, нанотехнологические комплексы на основе
туннельно-полевого массопереноса и модифицирования. Системный подход к управлению
качеством продукции: ЕСТД и её применение, структура и функции АСУТП, оптимизация
контрольно-измерительных операций.
7.1.10. Заключение ( 2 часа).
Построение технологических процессов на основе оптимального сочетания принципов
управления, самоформирования, самоорганизации: адаптивный синтез микроэлектронных
структур, самосогласованные цепи технологических операций. Атомно-молекулярная
инженерия.
7.2.Форма проведения занятий.
Аудиторная и самостоятельная работа, консультации.
8. Практические занятия
