ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
108
Таблица 3.1
Составы электролитов и условия электроосаждения
металлов и сплавов на полупроводники
Металл,
сплав
Состав электролита, г / л
pH
Катод
Ток,
мА/см
2
Темп.,
о
С
Время,
мин
Лите-
ратура
Ni
In
Sb
Sn
Pb
Ag
Rh
Au
Cr
Re
Ni + Cr
Ni + Re
Ni + W
Ni + Mo
Pd
1. NiCl
2
⋅6H
2
O - 11.8, HCl - 2.5
2. NiSO
4
⋅7H
2
O - 105 в этиленгликоле
3.
Ni(HCO
3
)
2
-130,
HF(48 %)
-
80,
H
3
C
6
H
5
O
7
-
66
4. Ni(BF
4
)
2
- 300, H
3
BO
3
- 30
5. NiSO
4
⋅7H
2
O -250, Na
2
SO
4
-100, H
3
BO
3
- 30,
H
2
C
4
H
4
O
6
- 2.7
1. In
2
(SO
4
)
3
- 17.3, H
2
SO
4
- 4.5
2. In
2
(SO
4
)
3
- 100,
3. In
2
(SO
4
)
3
- 100, KF - 30
1. SbF
3
- 6, HBF
4
- 10
2. SbF
3
- 60, HBF
4
- 100
3. SbF
3
- 60, HBF
4
- 100, HF - 30, AlF
3
- 30
Sn(BF
4
)
2
- 146, HBF
4
- 60…100
PbCO
3
- 129, HF(48%) - 120, H
3
BO
3
- 106
Ag[BF
4
]
2
- 11, NaF - 0.07
RhCl
3
- 4, H
2
SO
4
- 35
AuCl
3
- 10, NaCl - 2.9
CrO
3
- 250, Cr
2
(SO
4
)
3
- 3, NH
4
F - 1.5
NH
4
ReO
4
-13.4, (NH
4
)
2
SO
4
- 132, H
2
SO
4
→
NiSO
4
⋅7H
2
O -250, NiCl
2
⋅6H
2
O - 20,
Cr
2
(SO
4
)
3
– 160, H
2
C
4
H
4
O
6
- 10
NiSO
4
⋅7H
2
O
–
6, NH
4
ReO
4
-13.4,
(NH
4
)
2
SO
4
-50
Na
2
WO
4
- 50, NiSO
4
⋅7H
2
O - 20, H
3
C
6
H
5
O
7
- 66
(NH
4
)
2
MoO
4
– 25, NiSO
4
⋅7H
2
O - 20, NH
4
OH
→ KNaC
4
H
4
O
6
⋅4H
2
O - 200
Соль палладия - 32…35 (по металлу)
3.0
5.5
2.5
2.0
1.5
1.0
1.5
2.5
8
10
8-9
Ge
Si
Si
Ge, Si
GaAs
Si
Ge
Si
Ge
Ge
Si
Si, Ge
Si, Ge
Si
Si
Si
GaAs
GaAs
GaAs
GaAs
GaAs
GaAs
GaP
20
40
20
2
50-90
30
20
30
20
20
20
50-90
50-90
50-90
75-90
60-65
400
20
15
100
1
20
22
20
20
20
20
20
20
25-30
65-70
40
70
70
30
20-30
20-30
10-20
20-30
20-30
20-30
20-30
20-30
20-30
3-5
10
3
10
30
5
10
[17]
[18]
[19]
[20-22]
[23]
[18]
[21]
[20]
[19]
[21]
[20]
[20, 21]
[20, 21]
[18]
[18]
[18]
[24]
[24]
[24]
[24]
[25]
[24]
[26]
Температура электроосаждения большинства металлов – 20…30
о
С, рения и сплавов
Ni + Re, Ni + W – 65…70
о
С. Время электроосаждения никеля, индия, свинца, олова, сурьмы
толщиной около 1 мкм составляет около 20…30 мин.
3.5.3. Центры кристаллизации металла на полупроводнике
Методом электрохимического декорирования, используя короткие импульсы катодного
тока,
показано,
что при электроосаждении свинца или кадмия на арсенид галлия n-типа число
микроучастков (центров) электрокристаллизации металла возрастает с увеличением степени ле-
гирования полупроводника донорной примесью
[27]. Электроосаждение свинца велось при 22
о
С
из щелочного, а кадмия – из сернокислого электролита с помощью полярографа ПУ-1 при по-
тенциале –0.50 и –0.45 В (насыщенный каломельный электрод) в импульсном режиме с дли-
тельностью импульсов 1.1, 2.2 и 3.3 с.
Металлы осаждались на арсенид галлия n-типа ориента-
Таблица 3.1
Составы электролитов и условия электроосаждения
металлов и сплавов на полупроводники
Металл, Ток, Темп., Время, Лите-
Состав электролита, г/л pH Катод мин ратура
сплав мА/см2 оС
Ni 1. NiCl2⋅6H2O - 11.8, HCl - 2.5 Ge 20 [17]
2. NiSO4 ⋅7H2O - 105 в этиленгликоле Si [18]
3. Ni(HCO3)2 -130, HF(48 %) - 80, H3C6H5O7 - 66 Si 40 [19]
4. Ni(BF4)2 - 300, H3BO3 - 30 3.0 Ge, Si 20 20 20-30 [20-22]
5. NiSO4 ⋅7H2O -250, Na2SO4 -100, H3BO3 - 30, 5.5 GaAs 2 22 10-20 [23]
H2C4H4O6 - 2.7
In 1. In2(SO4)3 - 17.3, H2SO4 - 4.5 Si 50-90 [18]
2. In2(SO4)3 - 100, 2.5 Ge 30 20 20-30 [21]
3. In2(SO4)3 - 100, KF - 30 2.0 Si 20 20 20-30 [20]
Sb 1. SbF3 - 6, HBF4 - 10 Ge [19]
2. SbF3 - 60, HBF4 - 100 Ge 30 20 20-30 [21]
20 20-30
3. SbF3 - 60, HBF4 - 100, HF - 30, AlF3 - 30 Si 20 [20]
20 20-30
Sn Sn(BF4)2 - 146, HBF4 - 60 100 Si, Ge 20 [20, 21]
20 20-30
Pb PbCO3 - 129, HF(48%) - 120, H3BO3 - 106 Si, Ge 20 [20, 21]
Ag Ag[BF4]2 - 11, NaF - 0.07 Si 50-90 [18]
Rh RhCl3 - 4, H2SO4 - 35 Si 50-90 [18]
Au AuCl3 - 10, NaCl - 2.9 Si 50-90 [18]
25-30 3-5
Cr CrO3 - 250, Cr2(SO4)3 - 3, NH4F - 1.5 1.5 GaAs 75-90 [24]
65-70 10
Re NH4ReO4 -13.4, (NH4)2SO4 - 132, H2SO4 → 1.0 GaAs 60-65 [24]
40 3
Ni + Cr NiSO4 ⋅7H2O -250, NiCl2⋅6H2O - 20, 1.5 GaAs 400 [24]
Cr2(SO4)3 160, H2C4H4O6 - 10
70 10
Ni + Re NiSO4 ⋅7H2O 6, NH4ReO4-13.4, (NH4)2SO4 -50 2.5 GaAs 20 [24]
70 30
Ni + W Na2WO4 - 50, NiSO4⋅7H2O - 20, H3C6H5O7 - 66 8 GaAs 15 [25]
30 5
Ni + Mo (NH4)2MoO4 25, NiSO4 ⋅7H2O - 20, NH4OH 10 GaAs 100 [24]
→ KNaC4H4O6⋅4H2O - 200 20-30 10
Pd Соль палладия - 32 35 (по металлу) 8-9 GaP 1 [26]
Температура электроосаждения большинства металлов 20 30 оС, рения и сплавов
Ni + Re, Ni + W 65 70 оС. Время электроосаждения никеля, индия, свинца, олова, сурьмы
толщиной около 1 мкм составляет около 20 30 мин.
3.5.3. Центры кристаллизации металла на полупроводнике
Методом электрохимического декорирования, используя короткие импульсы катодного
тока, показано, что при электроосаждении свинца или кадмия на арсенид галлия n-типа число
микроучастков (центров) электрокристаллизации металла возрастает с увеличением степени ле-
гирования полупроводника донорной примесью [27]. Электроосаждение свинца велось при 22 оС
из щелочного, а кадмия из сернокислого электролита с помощью полярографа ПУ-1 при по-
тенциале 0.50 и 0.45 В (насыщенный каломельный электрод) в импульсном режиме с дли-
тельностью импульсов 1.1, 2.2 и 3.3 с. Металлы осаждались на арсенид галлия n-типа ориента-
108
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 106
- 107
- 108
- 109
- 110
- …
- следующая ›
- последняя »
