ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
103
.)
*
*
ln(
2
)
*
*
ln(
2
4/34/3
p
nvc
n
p
vc
F
m
m
KT
EE
m
m
KT
EE
E −
+
=+
+
=
(313)
Следовательно,
F
E при Т=0 К лежит в середине запрещенной зоны, его
положение в запрещенной зоне линейно зависит от Т. С возрастанием Т
F
E
приближается к той зоне, которая имеет меньшую плотнос ть состояний и по-
этому заполняется быстрее.
**)3(
**)2(
**)1(
pn
pn
pn
mm
mm
mm
>−
=−
<−
Учтя закон действующих масс:
pnn
i
⋅=
2
, (314)
получим концентрацию собственных носителей заряда:
.
2 KT
g
E
eNNpnn
vci
Δ
−
⋅===
(315)
Если построить зависимость ),/1(ln Tn
i
то она будет предс тавлять прак-
тически прямую линию:
T
K
E
NNn
g
vci
1
2
lnln ⋅
Δ
−=
. (316)
Угол наклона прямой определяет ширину
запрещенной зоны полупроводника:
(317)
легко определяется из графика.
7.6. Примесный полупроводник (примесь одного вида)
Рассмотрим полупроводник, в который введена примесь одного вида, напри-
мер, донорная, так, что уравнение электронейтральнос ти имеет вид:
(318
)
. (319
)
+
+=
=
−
+
Д
ДД
Npn
Npnn
.22
2
ϕϕϕ
tgKKtgE
K
E
tg
g
g
=⋅=Δ=>
Δ
−=
ϕ
t
g
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 102
- 103
- 104
- 105
- 106
- …
- следующая ›
- последняя »
