Физические основы микроэлектроники. Базир Г.И. - 102 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

101
,
1
2
1
1
+
=
−
KT
EE
p
aF
e
f
12
1
+
=
−
KT
EE
p
ДF
e
f
. (300)
Следовательно, число электронов или дырок, находящихся на примесном
уровне
.)(
1
2
1
+
−
=⋅=
∫
KT
F
E
Д
E
Д
e
N
ДД
dEfEgn
(301)
12 +
=
−
KT
EE
a
a
Fa
e
N
n
. (302)
1
2
1
+
=
−
KT
EE
a
a
aF
e
N
p
. (303)
12 +
=
−
KT
EE
Д
g
ДF
e
N
p
УЭН в виде (296), теперь должно быть записано с учетом (301), (302) и (303). С
учетом (301-303) уравнение (296) – есть уравнение относительно E
F и является
алгебраическим уравнением четвертой степени.
Решать в общем виде сложно, поэтому рассмотрим ряд частных случаев,
имеющих практическое значение. Так же следует помнить, что уравнение элек-
тронейтр альности записано для случая, когда имеется 1 донорный и 1 акцеп-
торный уровень. В противном случае УЭН еще более усложняется.
7.5. Собственный полупроводник
Полупроводник, в котором примесь отсутствует
0==
aД
NN
, называется чис-
тым или собственным.
УЭН для собственного полупроводника имеет вид:
n – p=0 или n=p . (304)
g
EΔ
C
E
,
V
E

Страницы