Физические основы микроэлектроники. Базир Г.И. - 108 стр.

UptoLike

Составители: 

107
Носители заряда называются основными, если их концентрация больше
концентрации собственных носителей заряда
i
n
при данной тем пературе, если
же их концентрация меньше
i
n
, то их называют неосновными носителями заря-
да.
Т. е. можно сказать, что в области истощения примеси концентрация ос-
новных носителей заряда остается постоянной, концентрация же неосновных
носителей заряда должна резко возрастать с ростом температур ы.
Из (321) следует, что
KT
E
Д
vc
Д
ii
g
e
N
NN
N
n
n
n
p
Δ
===
22
. (337)
Уравнение (337) справедливо до тех пор, пока
ДД
NNnp ==
+
pp
. (338)
2. Высокие температуры
С возрастанием температуры концентрация дырок p возрастает и может стать
сравнимой с концентрацией электронов n. В этом случае уравнение (322) долж-
но быть заменено общим уравнением (319), которое можно существенно упро-
стить. Запишем (319) с учетом (336):
Д
Npn += . (339)
Уравнение (339) справедливо для случая, когда вся примесь ионизирова-
на и необходимо учитывать ионизацию основного вещества.
Запишем (339) для невырожденного полупроводника:
Д
i
N
n
n
n +=
2
(340)
или
0
2
2
=
iД
nnNn
. (341)
Решая это уравнение , получим:
)
4
11(
2
2
2
Д
i
Д
N
n
N
n +±=
. (342)
n>0, следовательно, «-» перед корнем следует отбросить.
Запишем выражение для концентрации электронов и дырок:
)
4
1(
2
2
2
Д
i
Д
N
n
N
n +=
, (343)