Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

где
Em2
k
a
z
∗
=
;
−=γ
∗
∗
1
E
V
m
m
b
b
a
; (2.11)
∗
a
m
,
∗
b
m
–эффективные массы носителей заряда полупроводников, из ко-
торого состоят потенциальная яма и барьер. Число этих уровней удовле-
творяет условию
ba
Vm2
a
1m1
∗
π
+≤≤
. (2.12)
У огибающих волновых функций
( )
z
m
ϕ
появляются экспоненциальные
хвосты, характерная глубина проникновения которых в потенциальные
барьеры равна обратной величине коэффициента затухания, равного
( )
2
mbb
EVm2
−
.
В случае треугольной КЯ, характерной для МДП-структур и одиноч-
ных гетеропереходов, потенциальная энергия, ограничивающая движе-
ния вдоль оси симметрии структуры, равна
( )
=∞
>
=
0z,
0z,eFz
zV
, (2.13)
где F–напряженность однородного электростатического поля в инвер-
сионном слое, e–элементарный заряд. Для такой потенциальной ямы
разрешенные уровни энергии приближенно задаются выражением
3/2
3/1
2
m
4
1
m
2
eF3
*m2
E
−
π
≈
.
(2.14)
Для параболической КЯ в легированных симметричных периодиче-
ских структурах
4
потенциальную энергию носителей заряда можно
представить в виде
( )
22
p
z*m
2
1
zV
ω=
, (2.15)
где
4
Легированной симметричной периодической структурой называется периодически
легированный полупроводник, в котором концентрация легирующей примеси и тол-
щина слоев n и p–типа одинаковы.
22

Страницы