ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
2.1. Нарушение ВЧ режима измерений (учёт влияния ПС)
Определению профиля легирования МДП-структур препятствует перезарядка
ПС, влияние которой можно уменьшить повышением частоты тестового сигнала
или понижением температуры при измерениях . Влияние ПС проявляется и для
структур с барьером Шоттки, поскольку в реальном контакте Шоттки на
поверхности полупроводника имеется переходный слой в виде тонкой плёнки
естественного окисла .
Частота ВЧ напряжения, при которой влияние поверхностных состояний на
измеряемую ёмкость пренебрежимо мало , зависит от их кинетических
характеристик. Например, для поверхности раздела Si-SiO
2
поверхностные
состояния, расположенные в середине запрещённой зоны, имеют при комнатной
температуре времена релаксации
45
10
10
−−
÷ с , в то время как ПС вблизи
разрешённых зон характеризуются меньшими временами релаксации -
68
10
10
−−
÷
с . Соответственно нижняя граница частоты составляет в первом случае примерно
1 МГц , а во втором смещается в область более высоких частот, которую трудно
реализовать практически.
Вместе с тем, влияние ПС на определяемую посредством (12) концентрацию
примеси можно довольно просто учесть, если кроме высокочастотной ёмкости
структуры измерить низкочастотную (квазистатическую ) ёмкость. Ёмкость
структуры на низкой частоте (НЧ ) равна
,
111
sssciНЧ
CCCC +
+=
(15)
поэтому с учётом возможной перезарядки ПС дифференциальное приращение
пространственного заряда
sssscB
dCCdQ
ψ
)(
+
=
(16)
и соотношение (8) нужно записать следующим образом:
.)(
g НЧssssc
dVCdCC
=
+
ψ
(17)
Соотношение (9) на НЧ также уже не выполняется, но остаётся верным более
общее соотношение (6), из которого вместо (12) для N(W) получается несколько
другое выражение :
.
12
)(
1
2
2
0
−
±=
Ds
s
Cd
d
Sq
WN
ψ
εε
(18)
С учётом (15) и (17) выражение (18) для N(W) можно переписать в виде
1
2
2
0
1
2
2
0
1
1
212
)(
−−
−=
+
=
Dgi
НЧ
s
Dgsssc
НЧ
s
CdV
d
C
C
Sq
CdV
d
CC
C
Sq
WN
εεεε
(19)
Дифференциальное приращение )(
2 −
D
Cd на основании (2) можно
представить следующим образом:
.
1
1
111
2
121
22
−=
−=
=
ВЧi
ВЧ
ВЧiВЧDDD
C
d
C
C
C
d
CCC
d
CC
d
(20)
2.1. Нару ш ен и е ВЧ реж и м а и зм ерен и й (у чё т вл и я н и я ПС)
О пр е де ле ни ю пр о ф и ля ле ги р о ва ни я М Д П -стр уктур пр е пятствуе тпе р е за р ядка
П С, вли яни е ко то р о й мо ж но уме ньш и тьпо вы ш е ни е м ча сто ты те сто во го си гна ла
и ли по ни ж е ни е м те мпе р а тур ы пр и и зме р е ни ях . В ли яни е П С пр о являе тся и для
стр уктур с б а р ьер о м Ш о ттки , по ско льку в р е а льно м ко нта кте Ш о ттки на
по ве р х но сти по лупр о во дни ка и ме е тся пе р е х о дны й сло й в ви де то нко й плёнки
е сте стве нно го о ки сла .
Ч а сто та В Ч на пр яж е ни я, пр и ко то р о й вли яни е по ве р х но стны х со сто яни й на
и зме р яе мую ёмко сть пр е не б р е ж и мо ма ло , за ви си т о т и х ки не ти че ски х
х а р а кте р и сти к. Н а пр и ме р , для по ве р х но сти р а зде ла Si-SiO2 по ве р х но стны е
со сто яни я, р а спо ло ж е нны е в се р е ди не за пр е щ ённо й зо ны , и ме ю тпр и ко мна тно й
те мпе р а тур е вр е ме на р е ла кса ци и 10 −5 ÷ 10 −4 с, в то вр е мя ка к П С вб ли зи
р а зр е ш ённы х зо н х а р а кте р и зую тся ме ньш и ми вр е ме на ми р е ла кса ци и - 10 −8 ÷ 10 −6
с. Со о тве тстве нно ни ж няя гр а ни ца ча сто ты со ста вляе тв пе р во м случа е пр и ме р но
1 М Гц, а во вто р о м сме щ а е тся в о б ла стьб о ле е вы со ки х ча сто т, ко то р ую тр удно
р е а ли зо ва тьпр а кти че ски .
В ме сте с те м, вли яни е П С на о пр е де ляе мую по ср е дство м (12) ко нце нтр а ци ю
пр и ме си мо ж но до во льно пр о сто уче сть, е сли кр о ме вы со ко ча сто тно й ёмко сти
стр уктур ы и зме р и ть ни зко ча сто тную (ква зи ста ти че скую ) ёмко сть. Ё мко сть
стр уктур ы на ни зко й ча сто те (Н Ч ) р а вна
1 1 1
= + , (15)
CНЧ Ci C sc + C ss
по это му с учёто м во змо ж но й пе р е за р ядки П С ди ф ф е р е нци а льно е пр и р а щ е ни е
пр о стр а нстве нно го за р яда
dQB = (C sc + C ss ) dψ s (16)
и со о тно ш е ни е (8) нуж но за пи са тьсле дую щ и м о б р а зо м:
(C sc + C ss ) dψ s = C Н Ч dV g . (17)
Со о тно ш е ни е (9) на Н Ч та кж е уж е не вы по лняе тся, но о ста ётся ве р ны м б о ле е
о б щ е е со о тно ш е ни е (6), и з ко то р о го вме сто (12) для N(W) по луча е тся не ско лько
др уго е вы р а ж е ни е :
−1
2 d 1 2
N (W ) = ± . (18)
dψ s C D
qε 0 ε s S 2
С учёто м (15) и (17) вы р а ж е ни е (18) для N(W) мо ж но пе р е пи са тьв ви де
−1 −1
CНЧ d 1 C Н Ч d
2 2
2 2 1
N (W ) = = 1 − (19)
qε 0ε s S 2 C sc + C ss dVg C D qε 0ε s S 2 Ci dVg
CD
−2
Д и ф ф е р е нци а льно е пр и р а щ е ни е d (C D ) на о сно ва ни и (2) мо ж но
пр е дста ви тьсле дую щ и м о б р а зо м:
2 2
1 2 1 1 1 1 C ВЧ 1
d = d = 2 − d = 1 − d . (20)
CD CD CD C ВЧ C i C ВЧ Ci C ВЧ
19
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
