ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
()
(
)
()
(
)
()
.
exp1
exp2
1exp
exp1
/1
2
2
2
s
s
ss
s
g
ВЧ
iВЧ
ВЧ
dV
dC
CC
C
ψβ
ψβ
ψβψβ
ψβ
β
−−
−
−
−+−
−−
=
−
−
(29)
В левой части уравнения (29) стоят измеряемые величины, а правая часть
зависит только от поверхностного потенциала
s
ψ
. Решив это уравнение
относительно
s
ψ
при каждом значении V
g
, можно получить зависимость
)(
gs
V
ψ
без учёта перезарядки поверхностных состояний. На самом деле эта зависимость
является приближённой из-за того , что в реальной МДП-структуре всегда
имеются перезаряжающиеся ПС, которые растягивают высокочастотную ВФХ.
Найдя производную
sg
ddV
ψ
/ и подставив в (28), а затем в (27), получим
окончательное выражение для нахождения поверхностного потенциала
s
ψ
при
каждом значении напряжения смещения V
g
()
(
)
()
(
)
()
.
exp1
exp2
1exp
exp1
/1
22
s
s
ss
s
s
g
g
ВЧ
iВЧ
ВЧ
d
dV
dV
dC
CC
C
ψβ
ψβ
ψβψβ
ψβ
ψβ −−
−
−
−+−
−−
=
−
−
(30)
Затем, подставив найденное
s
ψ
в формулу (24), можно найти распределение
концентрации примеси в полупроводнике с учётом свободных носителей заряда .
Таким образом, влияние свободных носителей вблизи точки плоских зон можно
учесть, не прибегая к снятию НЧ C-V кривой.
Координата x=W, соответствующая данному значению напряжения V
g
(и
ёмкости C), по - прежнему определяется выражением (13), в которое входят
измеряемые величины - ёмкости C и C
i
. В соответствии с этим соотношением
точке плоских зон 0
=
s
ψ
соответствует глубина ОПЗ
FB
scs
CW /
0
εε = , где
FB
sc
C - ёмкость ОПЗ в состоянии плоских зон, которая может быть получена из
выражения (22) предельным переходом 0
→
s
ψ
и равна
Ds
FB
sc
LC /
0
εε = . Отсюда
видно , что точке плоских зон соответствует глубина W=L
D
, поэтому считается,
что вольт - фарадный метод имеет разрешение порядка дебаевской длины. В
некоторых интерпретациях W вблизи поверхности полупроводника
рассчитывается по видоизменённой формуле :
()
[]
,exp1
11
0 s
i
s
CC
SW ψβεε −−
−= (31)
которая даёт при 0
=
s
ψ
координату W =0. Однако это расхождение в оценках, по -
видимому, связано с разной трактовкой понятия ширины области
пространственного заряда при слабом обеднении. Множитель в числителе
формулы (22)
(
)
[
]
s
ψ
β
−
−
exp1 можно включать в W , а можно и считать
поправочным и рассматривать ёмкость ОПЗ в виде
()
[]
,exp1
0
s
s
sc
W
C ψβ
ε
ε
−−= (32)
откуда и следует выражение (31), учитывая, что
111 −−−
−=
i ВЧsc
СCC . В общем,
вопрос об определении профиля легирования полупроводника на малых глубинах
достаточно тонок и сложен.
2 C ВЧ −2 dC ВЧ 1 − exp(− β ψ s ) 2 exp(− β ψ s ) = − . (29) β (1 − C ВЧ / C i ) dV g 2 exp(− β ψ s ) + β ψ s − 1 1 − exp(− β ψ s ) В ле во й ча сти ур а вне ни я (29) сто ят и зме р яе мы е ве ли чи ны , а пр а ва я ча сть за ви си т то лько о т по ве р х но стно го по те нци а ла ψ s . Ре ш и в это ур а вне ни е о тно си те льно ψ s пр и ка ж до м зна че ни и Vg , мо ж но по лучи тьза ви си мо стьψ s (V g ) б е з учёта пе р е за р ядки по ве р х но стны х со сто яни й. Н а са мо м де ле эта за ви си мо сть являе тся пр и б ли ж ённо й и з-за то го , что в р е а льно й М Д П -стр уктур е все гда и ме ю тся пе р е за р яж а ю щ и е ся П С, ко то р ы е р а стяги ва ю т вы со ко ча сто тную В Ф Х . Н а йдя пр о и зво дную dV g / dψ s и по дста ви в в (28), а за те м в (27), по лучи м о ко нча те льно е вы р а ж е ни е для на х о ж де ни я по ве р х но стно го по те нци а ла ψ s пр и ка ж до м зна че ни и на пр яж е ни я сме щ е ни я Vg 2 C ВЧ −2 dV dC ВЧ 1 − exp(− β ψ s ) 2 exp(− β ψ s ) = − g . (30) β (1 − C ВЧ / C i ) dV g dψ s exp(− β ψ s ) + β ψ s − 1 1 − exp(− β ψ s ) За те м, по дста ви в на йде нно е ψ s в ф о р мулу (24), мо ж но на йти р а спр е де ле ни е ко нце нтр а ци и пр и ме си в по лупр о во дни ке с учёто м сво б о дны х но си те ле й за р яда . Та ки м о б р а зо м, вли яни е сво б о дны х но си те ле й вб ли зи то чки пло ски х зо н мо ж но уче сть, не пр и б е га я к сняти ю Н Ч C-V кр и во й. Ко о р ди на та x=W, со о тве тствую щ а я да нно му зна че ни ю на пр яж е ни я Vg (и ёмко сти C), по -пр е ж не му о пр е де ляе тся вы р а ж е ни е м (13), в ко то р о е вх о дят и зме р яе мы е ве ли чи ны - ёмко сти C и Ci. В со о тве тстви и с эти м со о тно ш е ни е м то чке пло ски х зо н ψ s = 0 со о тве тствуе т глуб и на О П З W = ε 0 ε s / C scFB , где C scFB - ёмко стьО П З в со сто яни и пло ски х зо н, ко то р а я мо ж е т б ы тьпо луче на и з вы р а ж е ни я (22) пр е де льны м пе р е х о до м ψ s → 0 и р а вна C scFB = ε 0 ε s / LD . О тсю да ви дно , что то чке пло ски х зо н со о тве тствуе тглуб и на W=L D , по это му счи та е тся, что во льт-ф а р а дны й ме то д и ме е т р а зр е ш е ни е по р ядка де б а е вско й дли ны . В не ко то р ы х и нте р пр е та ци ях W вб ли зи по ве р х но сти по лупр о во дни ка р а ссчи ты ва е тся по ви до и зме нённо й ф о р муле : 1 1 W = ε 0 ε s S − [1 − exp(− β ψ s )], (31) C Ci ко то р а я да ётпр и ψ s = 0 ко о р ди на ту W=0. О дна ко это р а сх о ж де ни е в о це нка х , по - ви ди мо му, связа но с р а зно й тр а кто вко й по няти я ш и р и ны о б ла сти пр о стр а нстве нно го за р яда пр и сла б о м о б е дне ни и . М но ж и те ль в чи сли те ле ф о р мулы (22) [1 − exp(− β ψ s )] мо ж но вклю ча ть в W, а мо ж но и счи та ть по пр а во чны м и р а ссма тр и ва тьёмко стьО П З в ви де ε ε C sc = 0 s [1 − exp (− β ψ s )], (32) W о ткуда и сле дуе т вы р а ж е ни е (31), учи ты ва я, что C sc−1 = C ВЧ −1 − С i−1 . В о б щ е м, во пр о с о б о пр е де ле ни и пр о ф и ля ле ги р о ва ни я по лупр о во дни ка на ма лы х глуб и на х до ста то чно то но к и сло ж е н. 22
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »