Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 2 стр.

UptoLike

2
Утвержден научно-методическим советом физического факультета
от 9 января 2003 г.
Составители : Бормонтов Е . Н
Быкадорова Г . В .
Григорьев Р . Г .
Науч . ред. Петров Б . К .
Практикум подготовлен на кафедре физики полупроводников
микроэлектроники Воронежского государственного университета.
Рекомендуется для студентов 4 и 5 курсов физического факультета
специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы ", а
также студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению "Физика"
(программа "Физика полупроводников. Микроэлектроника").
                                         2




     У тверж ден н аучн о-методическ им советом ф изическ ого ф ак уль тета
от 9 ян варя 2003 г.


                                      Составители: Бормон тов Е .Н
                                                  Бы к адороваГ.В .
                                                  Григорь ев Р.Г.
                                      Н ауч. ред. Петров Б.К .




       Прак тик ум подготовлен           н а к аф едре ф изик и полупроводн ик ов
мик роэ лек трон ик и В орон еж ск ого государствен н ого ун иверситета.
       Рек омен дуется для студен тов 4 и 5 к урсов ф изическ ого ф ак уль тета
специаль н ости 014100 "М ик роэ лек трон ик а и полупроводн ик овы е приборы ", а
так ж е студен тов 6 к урса, обучаю щ ихся в магистратуре по н аправлен ию "Ф изик а"
(программа"Ф изик аполупроводн ик ов. М ик роэ лек трон ик а").