ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
14
Рассмотрим теперь акцепторный полупроводник, например кремний,
легированный бором. Допустим, что концентрация введенной примеси
равна N
a
. Энергетическая схема такого полупроводника представлена на
рис. 3, б.
Нейтральный атом бора с соседними атомами кремния образует три
ковалентные связи . Четвертая связь одного из четырех соседних атомов
кремния остается незавершенной , и она, располагаясь около атома бора,
ведет себя как положительная дырка. В эту незавершенную связь может
перейти электрон от соседнего атома кремния, и для этого потребуется
энергия, равная E
a
. В результате образуется свободная дырка, а атом бора
превращается в отрицательно заряженный ион бора. Таким образом, на
энергетическом уровне акцепторной примеси находится один электрон с
произвольным направлением спина (нейтральное состояние акцепторной
примеси ) либо имеется два электрона с антипараллельными спинами в
случае, когда атом акцепторной примеси для укомплектования парной
связи захватывает электрон из валентной зоны (ионизованное состояние
акцепторной примеси ). Следовательно, степень вырождения акцепторного
уровня g = 2. Поэтому концентрация электронов n
a
на уровнях акцепторной
примеси (или концентрация отрицательных ионов) при данной
температуре будет определяться соотношением вида
()
,
e
N
n
kT/FE
a
a
a
1
2
+
=
−
(21)
а концентрация дырок на акцепторной примеси p
a
соответственно будет
равна
()
.
e
N
p
kT/EF
a
a
a
1
2
1
+
=
−
−
(22)
5. Определение положения уровня Ферми
В предыдущих рассуждениях мы считали , что уровень Ферми задан.
Посмотрим теперь , как можно найти положение уровня Ферми .
Ответ на этот вопрос зависит от того, какие другие величины заданы .
Если известны концентрации носителей заряда в зонах n и p, то значение
F можно определить из полученных ранее формул. Так , например, для
невырожденного полупроводника n - типа из (12) мы имеем
.
n
N
lnkTEF
c
c
−=
(23)
Аналогично , для невырожденного полупроводника р - типа из (13)
получаем
.
p
N
lnkTEF
v
v
−=
(24)
14 Рассмот ри м теперь акцепторны й полупроводни к, напри мер кремни й , леги рованны й бором. Д опуст и м, что концентраци я введенной при меси равна Na. Э нергет и ческая схема т акого полупроводни ка представлена на ри с. 3, б. Н ей т ральны й атом бора с соседни ми ат омами кремни я образует т ри ковалент ны е связи . Ч етверт ая связь одного и з четы рех соседни х ат омов кремни я ост ается незаверш енной , и она, располагаясь около атома бора, ведет себя как полож и т ельная ды рка. В э т у незаверш енную связь мож ет перей ти э лект рон от соседнего атомакремни я, и для э того пот ребуется э нерги я, равная Ea . В результ ат е образует ся свободная ды рка, а атом бора превращ ает ся вотри цательно заряж енны й и он бора. Т аки м образом, на э нергет и ческом уровне акцепторной при меси находи т ся оди н э лект рон с прои звольны м направлени ем спи на (ней т ральное состояни е акцепторной при меси ) ли бо и меет ся два э лект рона с анти параллельны ми спи нами в случае, когда атом акцепторной при меси для укомплект овани я парной связи захваты вает э лект рон и з валентной зоны (и они зованное сост ояни е акцепторной при меси ). Следоват ельно, ст епень вы рож дени я акцепт орного уровня g = 2. П оэ томуконцентраци я э лект роновna науровнях акцепторной при меси (и ли концент раци я отри цат ельны х и онов) при данной т емперат уребудет определят ься соотнош ени ем ви да Na na = , (21) 2 e ( E a − F ) / kT + 1 а концент раци я ды рок на акцепторной при меси pa соот вет ст венно будет равна Na pa = ( F − E a ) / kT . (22) −1 2 e +1 5. О пределение полож ения уров ня Ф ерми В преды дущ и х рассуж дени ях мы счи т али , что уровень Ф ерми задан. П осмотри м т еперь, как мож но най ти полож ени еуровня Ф ерми . О т вет наэ т от вопросзави си т от т ого, каки едруги евели чи ны заданы . Е сли и звестны концент раци и носи т елей заряда взонах n и p, то значени е F мож но определи т ь и з полученны х ранее ф ормул. Т ак, напри мер, для невы рож денного полупроводни каn-т и паи з(12) мы и меем N F = E c − kT ln c . (23) n А налоги чно, для невы рож денного полупроводни ка р -ти па и з (13) получаем N F = E v − kT ln v . (24) p
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »