ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
уровнем энергии донора E
d
. Соотношение (31) приводит к квадратному
уравнению относительно n , положительный корень которого есть
.
n
N
n
n
d
−+= 1
4
1
2
1
1
(33)
При достаточно низких температурах , определяемых условием
(4N
d
/n
1
)
1/2
>> 1, из (33) получается
.
kT
E
expNNn
d
cd
−
=
22
1
2
1
∆
(33а)
В этом случае мы имеем частичную ионизацию доноров и концентрация
электронов в зоне проводимости уменьшается по экспоненциальному
закону с понижением температуры . Изображая зависимость ln nT
-3/4
от 1/T
графически , мы получим прямую линию, наклон которой равен ∆ E
d
/2k,
т. е. отвечает половине энергии ионизации доноров ∆E
d
.
При достаточно высоких температурах , определяемых условием
(4N
d
/n
1
<< 1), из (33) получается
.Nn
d
=
(33б)
Этот случай соответствует полной ионизации доноров. Зависимость n(T)
для одного конкретного случая показана ниже на рис. 5 (кривая 1).
Чтобы найти зависимость положения уровня Ферми F от
температуры , нам не нужно заново решать уравнение (30), а можно
воспользоваться соотношениями (12) и (33), справедливыми для
невырожденных полупроводников. Это дает
.
n
N
N
n
lnkT
N
n
lnkTEF
d
cc
c
−+==− 1
4
1
2
1
1
(34)
Эта зависимость показана на рис. 6 (кривая 1).
При низких температурах (определяемых тем же условием , что и
выше) формула (34) дает
()
.
N
N
lnkTEEEF
c
d
cdc
+−=−
2
1
2
1
2
1
При Т → 0 уровень Ферми располагается посередине между E
c
и E
d
.
В случае некомпенсированных акцепторов справедливы
аналогичные соотношения.
19 уровнем э нерги и донора Ed. Соотнош ени е (31) при води т к квадратному уравнени ю от носи тельно n, полож и т ельны й корень которого ест ь n1 4N d n= 1+ − 1 . (33) 2 n1 П ри достат очно ни зки х т емперат урах, определяемы х услови ем (4Nd/n1)1/2 >> 1, и з(33) получает ся 1 1 2 ∆E d n = N d N c exp − . (33а) 2 2kT В э т ом случае мы и меем част и чную и они заци ю донорови концентраци я э лект ронов в зоне проводи мости уменьш ается по э кспоненци альному закону спони ж ени ем т емперат уры . И зображ ая зави си мость ln nT-3/4 от 1/T граф и чески , мы получи м прямую ли ни ю , наклон кот орой равен ∆Ed/2k, т . е. от вечает полови неэ нерги и и они заци и доноров∆Ed. П ри дост аточно вы соки х температ урах, определяемы х услови ем (4Nd/n1 << 1), и з(33) получает ся n = Nd . (33б) Э тот случай соот вет ст вует полной и они заци и доноров. Зави си мост ь n(T) для одного конкретного случая показанани ж енари с. 5 (кри вая 1). Ч т обы най ти зави си мост ь полож ени я уровня Ф ерми F от т емперат уры , нам не нуж но заново реш ат ь уравнени е (30), а мож но воспользоват ься соотнош ени ями (12) и (33), справедли вы ми для невы рож денны х полупроводни ков. Э то дает n n 4N d F − E c = kT ln = kT ln 1 1+ − 1 . (34) Nc 2N c n1 Э т азави си мост ь показананари с. 6 (кри вая 1). П ри ни зки х т емперат урах (определяемы х т ем ж е услови ем, что и вы ш е) ф ормула(34) дает N F − Ec = 1 (E d − E c ) + 1 kT ln 1 d . 2 2 2 Nc П ри Т → 0 уровень Ф ерми располагает ся посереди немеж дуEc и Ed . В случае некомпенси рованны х акцепт оров справедли вы аналоги чны есоотнош ени я.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »