ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
5. Запишите второе уравнение Фика для полубесконечной подложки с
соответствующими граничными и начальными условиями при
диффузии из ионно- имплантированного слоя, начальное распределение
которого аппроксимируется неусеченной гауссианой. Границу считать
отражающей (связывающей ).
6. Записать решение для задачи, поставленной в вопросе 5, при
легировании изотипной подложки и подложки с противоположным
типом проводимости.
7. При каких условиях в процессе имплантации примесью
противоположного типа по отношению к исходной примеси в подложке
не формируются p-n переходы ?
8. Возможно ли образование двух p-n переходов при диффузионной
разгонке ионно - имплантированного слоя, если граница является
отражающей ? При каких условиях образуется один p-n переход?
2. Диффузия примеси из ионно-имплантированного слоя
с начальным распределением Пирсон -4
Большинство ионно- имплантированных профилей асимметрично и
для их описания используется распределение Пирсон-4 без учета или с
учетом эффекта каналирования .
В этом случае при малых временах термических отжигов, когда
диффузионная длина примесей сравнима с параметрами распределений
ионно - имплантированных примесей , концентрационный профиль
находится в виде:
±+
±=
∫∫
∞
+
−
−
−
−
−
+
−
−
−
0
22
0
0
22
4
)(
4
)(
0
0
4
)(
4
)(
)()(
2
1
),(
R
Dt
x
Dt
x
R
R
Dt
x
Dt
x
deeeRNdeeN
Dt
txN ξξξ
π
ξξ
λ
ξ
ξξ
.
Приведенная формула соответствует случаю , когда учитывается
эффект каналирования . Если расчеты проводятся без учета эффекта
каналирования , то R
0
→ ∞ , и используется только первое выражение, где
N(x) – распределение Пирсон-4.
Распределение Пирсон-4 учитывает четыре параметра: нормальный
пробег R
p
, страгглинг ∆ R
p
, параметр асимметрии γ и затухание β .
Распределение Пирсон-4 есть решение дифференциального
уравнения
01
2
2
'
'
)()()(
bxbxb
xhax
dx
xdh
++
′
−
= , (4)
где h(x) - функция распределения , удовлетворяющая условию нормировки
10 5. Запишите второе у равнение Ф ика для полу бесконечной подлож ки с соответствую щ ими граничны ми и началь ны ми у словиями при диф ф у зии из ионно-имплантированного слоя, началь ное распределение которого аппроксимиру ется неу сеченной гау ссианой. Границу считать отраж аю щ ей (связы ваю щ ей). 6. Записать решение для задачи, поставленной в вопросе 5, при легировании изотипной подлож ки и подлож ки с противополож ны м типом проводимости. 7. При каких у словиях в процессе имплантации примесь ю противополож ного типапо отношению к исходной примеси вподлож ке неф ормиру ю тся p-n переходы ? 8. В озмож но ли образование двух p-n переходов при диф ф у зионной разгонке ионно-имплантированного слоя, если граница является отраж аю щ ей? При каких у словиях образу ется один p-n переход? 2. Д и ф ф уз и я пр и м е си и зи он н о-и м пла н ти р ова н н огослоя с н а ча льн ы м р а спр е де ле н и е м Пи р сон -4 Боль шинство ионно-имплантированны х проф илей асимметрично и для их описания исполь зу ется распределение Пирсон-4 без у чета или с у четом эф ф ектаканалирования. В этом слу чае при малы х временах термических отж игов, когда диф ф у зионная длина примесей сравнима с параметрами распределений ионно-имплантированны х примесей, концентрационны й проф иль находится ввиде: 1 R0 − (ξ − x ) 2 − (ξ + x ) 2 ∞ − ξ − R0 − (ξ − x ) 2 − (ξ + x ) 2 N ( x, t ) = ∫ N (ξ ) e ± e 4 Dt dξ + N ( R0 ) ∫ e λ e 4 Dt ± e 4 Dt dξ . 4 Dt 2 πDt 0 R0 Приведенная ф орму ла соответствует слу чаю , когда у читы вается эф ф ект каналирования. Е сли расчеты проводятся без у чета эф ф екта каналирования, то R0→ ∞, и исполь зу ется толь ко первое вы раж ение, где N(x) – распределениеПирсон-4. Распределение Пирсон-4 у читы вает четы ре параметра: нормаль ны й пробег Rp, страгглинг ∆Rp, параметр асимметрии γ и зату ханиеβ. Распределение Пирсон-4 есть решение диф ф еренциаль ного у равнения dh( x) ( x ' − a ) h( x) = , (4) dx b2 x ′ 2 + b1 x'+b0 гдеh(x) - ф у нкция распределения, у довлетворяю щ ая у словию нормировки
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »