Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей. Быкадорова Г.В - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

9
2. Проводится внедрение ионов сурьмы в кремниевую подложку p-типа с
удельным сопротивлением 20 Ом·см. Режим имплантации: энергия
50 кэВ , доза 10 мкКл/см
2
. Далее проводится диффузионная разгонка
имплантированной сурьмы при температуре 1000 ºС в течение 30 мин.
Считая границу связывающей , рассчитать концентрационный
профиль и глубины залегания р-n переходов, а также определить
количество сурьмы , покинувшей подложку за время диффузии.
Сравнить полученные данные по концентрационному профилю и
глубинам залегания р-n переходов с результатами задания 1.
3. В кремниевой пластине марки КДБ7.5 создан примесный слой
имплантацией фосфора с энергией 180 кэВ и дозой 25 мкКл/см
2
.
В приближении отражающей границы :
а) рассчитать и построить результирующий концентрационный профиль
после активационного отжига при температуре 950 ºС в течение
30 минут;
б) исследовать температурную зависимость глубины залегания р-n
переходов в диапазоне 800÷1200 ºС при времени диффузионного
отжига 45 минут;
в) исследовать зависимость глубины залегания р -n перехода от времени
диффузионного отжига в диапазоне от 0.5 до 3 часов при температуре
1000 ºС .
4. В пластине кремния р- типа с удельной электропроводностью
0.1 Ом
-1
·см
-1
имплантацией сурьмы с энергией 80 кэВ и последующим
диффузионным отжигом при температуре 1050 ºС в течение 45 мин
создается примесный слой. В приближении отражающей границы
определить , при какой дозе имплантации будет сформирован р-n
переход на глубине 1.5 мкм .
5. Активная область полупроводниковой диодной р-n структуры создается
в кремниевой пластине марки КЭФ10 внедрением бора с энергией
60 кэВ , дозой 200 мкКл/см
2
и последующим диффузионным отжигом
при температуре 1100 ºС в течение 60 минут. Определить погрешность
по глубине залегания р-n перехода при технологических нормах
допусков по удельному сопротивлению исходной пластины кремния
± 20%. При диффузионном отжиге границу считать отражающей .
Вопросы
1. Какая граница называется отражающей ? Приведите пример
отражающей границы .
2. Какая граница называется связывающей ? Приведите пример
связывающей границы .
3. При каких условиях время диффузионной разгонки исходного ионно -
имплантированного слоя считается малым (большим)?
4. Дайте определение коэффициента диффузии с микроскопической и
макроскопической точки зрения . 
                                         9
2. Проводится внедрение ионовсу рь мы вкремниевую подлож ку p-типа с
  у дель ны м сопротивлением 20 О м ·с м . Реж им имплантации: энергия
  50 кэВ , доза 10 м кК л/с м 2. Д алее проводится диф ф у зионная разгонка
  имплантированной су рь мы при температу ре1000 ºС втечение30 м и н .
        Считая границу связы ваю щ ей, рассчитать концентрационны й
    проф иль и глу бины залегания р-n переходов, а такж е определить
    количество су рь мы , покину вшей подлож ку за время диф ф у зии.
    Сравнить полу ченны е данны е по концентрационному проф илю и
    глу бинам залегания р-n переходовс резу ль татами задания 1.
3. В кремниевой пластине марки К Д Б7.5 создан примесны й слой
    имплантацией ф осф орас энергией 180 кэВ и дозой 25 м кК л/с м 2.
    В приближ ении отраж аю щ ей границы :
    а) рассчитать и построить резу ль тиру ю щ ий концентрационны й проф иль
       после активационного отж ига при температу ре 950 ºС в течение
       30 мину т;
    б) исследовать температу рну ю зависимость глу бины залегания р-n
       переходов в диапазоне 800÷1200 ºС при времени диф ф у зионного
       отж ига45 мину т;
    в) исследовать зависимость глу бины залегания р-n переходаотвремени
       диф ф у зионного отж игавдиапазонеот0.5 до 3 часовпри температу ре
       1000 ºС .
4. В пластине кремния р-типа с у дель ной электропроводность ю
    0.1 О м -1·с м -1 имплантацией су рь мы с энергией 80 кэВ и последу ю щ им
    диф ф у зионны м отж игом при температу ре 1050 ºС втечение 45 м и н
    создается примесны й слой. В приближ ении отраж аю щ ей границы
    определить , при какой дозе имплантации бу дет сф ормирован р-n
    переход наглу бине1.5 м км .
5. А ктивная область полу проводниковой диодной р-n стру кту ры создается
    в кремниевой пластине марки К Э Ф 10 внедрением бора с энергией
    60 кэВ , дозой 200 м кК л/с м 2 и последу ю щ им диф ф у зионны м отж игом
    при температу ре 1100 ºС втечение 60 мину т. О пределить погрешность
    по глу бине залегания р-n перехода при технологических нормах
    допу сков по у дель ному сопротивлению исходной пластины кремния
    ± 20%. При диф ф у зионном отж игеграницу считать отраж аю щ ей.

                                     В опросы

1. К акая граница назы вается отраж аю щ ей? Приведите пример
   отраж аю щ ей границы .
2. К акая граница назы вается связы ваю щ ей? Приведите пример
   связы ваю щ ей границы .
3. При каких у словиях время диф ф у зионной разгонки исходного ионно-
   имплантированного слоя считается малы м (боль шим)?
4. Д айте определение коэф ф ициента диф ф у зии с микроскопической и
   макроскопической точки зрения.

Страницы