Методы расчета диффузионных структур. Быкадорова Г.В - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

10
Вопросы
1. Что такое доза легирования при диффузии?
2. Запишите математическую модель, описывающую процесс диффузии примеси
на стадии загонки.
3. Запишите математическую модель, описывающую процесс диффузии примеси
на стадии разгонки.
4. Как изменится формула для расчета эмиттерного p-n перехода, если учитывать
исходную концентрацию примеси в подложке?
5. От каких параметров и как зависят глубины залегания эмиттерного и
коллекторного p-n переходов?
3. Поверхностное сопротивление легированных слоев
Уровень легирования примесных слоев оценивают, измеряя поверхностное
сопротивление неоднородно легированного слоя, ограниченного поверхностью
кремния и p-n переходом x
j
(рис.2,а). Сопротивление вдоль поверхности
легированного слоя зависит от количества примесных атомов в слое, а не от их
концентрации.
Поверхностное сопротивление R
S
определяется как сопротивление
резистора, толщина которого равна глубине залегания p-n перехода x
j
, а длина и
ширина равны l (рис.2,б):
jj
S
xlx
l
R
ρ
=ρ=
,
где ρ - среднее значение удельного сопротивления легированного слоя.
а) б)
Рис. 2. Распределение примеси (а) в легированном слое и квадрат
примесного слоя (б) для определения слоевого сопротивления
Средняя электропроводность σ
s
легированного слоя равна
dxCxCC
x
q
xR
j
x
исх
jjS
S
])()[(
11
0
∫
−=== µ
ρ
σ ,
l
l
X
j
N(x)
X
Z
X
Y
                                                      10

                                                 В опросы

1. Что так ое доза л еги рован и япри ди ф ф у зи и ?
2. Запи ши те м атем ати ческ у ю м одел ь, опи сываю щу ю процессди ф ф у зи и при м еси
   н а стади и загон к и .
3. Запи ши те м атем ати ческ у ю м одел ь, опи сываю щу ю процессди ф ф у зи и при м еси
   н а стади и разгон к и .
4. К ак и зм ен и тсяф орм у л а дл ярасчета эм и ттерн ого p-n перехода, есл и у чи тывать
   и сходн у ю к он цен траци ю при м еси в подл ожк е?
5. О т к ак и х парам етров и к ак зави сят гл у би н ы зал еган и я эм и ттерн ого и
   к ол л ек торн ого p-n переходов?

                   3. По ве р хно стно е со пр о тивле ние ле г ир о ва нны х сло е в

        У ровен ь л еги рован и япри м есн ых сл оев оцен и ваю т, и зм еряяповерхн остн ое
сопроти вл ен и е н еодн ородн о л еги рован н ого сл оя, огран и чен н ого поверхн остью
к рем н и я и p-n переходом xj (ри с.2,а). Сопроти вл ен и е вдол ь поверхн ости
л еги рован н ого сл оязави си т от к ол и чества при м есн ых атом ов в сл ое, а н е от и х
к он цен траци и .
        Поверхн остн ое сопроти вл ен и е RS определ яется к ак сопроти вл ен и е
рези стора, тол щи н а к оторого равн а гл у би н е зал еган и яp-n перехода xj, а дл и н а и
ши ри н а равн ы l (ри с.2,б):
                                                         l    ρ
                                               RS = ρ       =    ,
                                                        lx j x j
где ρ - средн ее зн ачен и е у дел ьн ого сопроти вл ен и ял еги рован н ого сл оя.

                                           Z
   N(x)
                                                  l
                                    l


                                            Xj                  Y

                      X         X
             а)                                  б)



          Ри с. 2. Распредел ен и е при м еси (а) в л еги рован н ом сл ое и к вадрат
          при м есн ого сл оя(б) дл яопредел ен и ясл оевого сопроти вл ен и я


      Средн яяэл ек тропроводн ость σs л еги рован н ого сл ояравн а
                                                        xj
                                   1  1      q
                               σS = =      =
                                   ρ RS x j x j         ∫ µ (C )[C ( x) − C
                                                        0
                                                                                ]dx ,
                                                                              исх

Страницы