Методы расчета диффузионных структур. Быкадорова Г.В - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

15
repeat
c[i]:=fn(x[i]);
i:=i+1;
x[i]:=i*h
until x[i]>xmax;
n:=i-1;
for i:=1 to n do if(c[i-1]>=0) and (c[i]<=0) then
xj:=(x[i-1]+x[i])/2;
r:=rs(0.0,xj);
writeln(' ');
writeln(' слоевое сопротивление равно ',r:7:2,' Ом/кВ . ');
END.
При решении задачи по данной программе получено следующее
значение слоевого сопротивления: 3.80 Ом/кВ .
5. При создании эпитаксиально-планарного транзистора n-p-n-n
+
типа, имеющего
эпитаксиальный слой n-типа с концентрацией 3⋅10
15
см
-3
, эмиттерная область
создается загонкой фосфора из бесконечного источника с концентрацией ,
равной предельной растворимости .
Определить температуру загонки фосфора для получения в тест - пластине
р-n перехода на глубине 3.6 мкм . Найти поверхностное сопротивление
полученного слоя.
6. Предложите технологические режимы загонки бора в кремний марки КЭФ 7.5
для создания слоя с поверхностным сопротивлением 2 Ом/.
Вопросы
1. Какие методы контроля величины поверхностного сопротивления Вы
знаете?
2. Запишите математическую модель, описывающую процесс диффузии на
стадии загонки примеси .
3. Что такое доза легирования?
4. Дайте определение подвижности носителей заряда. Какова размерность
подвижности ?
3.2. Определение поверхностного сопротивления диффузионного слоя
на стадии разгонки
Расчет слоевого сопротивления R
S
после стадии разгонки в теоретическом
плане сводится к определению распределения примесей при двухстадийной
диффузии.
Поверхностная плотность атомов примеси , введенной на стадии загонки,
есть доза легирования Q: 
                                                   15

            repeat
           c[i]:=fn(x[i]);
           i:=i+1;
           x[i]:=i*h
           until x[i]>xmax;
           n:=i-1;
           for i:=1 to n do if(c[i-1]>=0) and (c[i]<=0) then
             xj:=(x[i-1]+x[i])/2;
           r:=rs(0.0,xj);
           writeln(' ');
           writeln(' сл оевое сопроти вл ен и е равн о ',r:7:2,' О м /к В . ');
           END.

          При решен и и задачи по дан н ой програм м е пол у чен о сл еду ю щее
   зн ачен и е сл оевого сопроти вл ен и я: 3.80 О м /к В .

5. При создан и и эпи так си ал ьн о-пл ан арн ого тран зи стора n-p-n-n+ ти па, и м ею щего
    эпи так си ал ьн ый сл ой n-ти па ск он цен траци ей 3⋅1015 см -3, эм и ттерн аяобл асть
    создается загон к ой ф осф ора и з беск он ечн ого и сточн и к а с к он цен траци ей ,
    равн ой предел ьн ой раствори м ости .
        О предел и ть тем перату ру загон к и ф осф ора дл япол у чен и яв тест-пл асти н е
    р-n перехода н а гл у би н е 3.6 м к м . Най ти поверхн остн ое сопроти вл ен и е
    пол у чен н ого сл оя.
6. Предл ожи те техн ол оги ческ и е режи м ы загон к и бора в к рем н и й м арк и К Э Ф 7.5
    дл ясоздан и ясл оясповерхн остн ым сопроти вл ен и ем 2 О м / .

                                               В опросы

  1. К ак и е м етоды к он трол я вел и чи н ы поверхн остн ого сопроти вл ен и я В ы
     зн аете?
  2. Запи ши те м атем ати ческ у ю м одел ь, опи сываю щу ю процесс ди ф ф у зи и н а
     стади и загон к и при м еси .
  3. Что так ое доза л еги рован и я?
  4. Дай те определ ен и е подви жн ости н оси тел ей заряда. К ак ова разм ерн ость
     подви жн ости ?


          3.2. О предел ен и е поверхн остн ого сопроти вл ен и яди ф ф у зи он н ого сл оя
                                   н а стади и разгон к и

        Расчет сл оевого сопроти вл ен и яRS посл е стади и разгон к и в теорети ческ ом
пл ан е своди тся к определ ен и ю распредел ен и я при м есей при дву хстади й н ой
ди ф ф у зи и .
        Поверхн остн аяпл отн ость атом ов при м еси , введен н ой н а стади и загон к и ,
есть доза л еги рован и яQ:

Страницы