ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
2
Методические указания составлены на кафедре физики полупроводников и
микроэлектроники Воронежского государственного университета доцентом
Быкадоровой Г.В ., доцентом Гольдфарбом В .А., кандидатом технических наук
Кожевниковым В .А. и инженером Гашковым А.Н. под редакцией доктора
технических наук Асессорова В .В .
В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета
концентрационных профилей и электрофизических параметров
полупроводниковых структур, полученных диффузией .
Каждый раздел содержит физическую и математическую модели
технологического процесса , задания и контрольные вопросы . Для ряда типовых
задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением ,
написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование
персональных компьютеров типа IBM.
Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий
и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по
специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" и
студентов 6 курса , обучающихся в магистратуре по направлению "Физика"
(специализация "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника") при
изучении спецкурсов “Математическое моделирование технологических
процессов в микроэлектронике”, “Физические основы технологиии
полупроводниковых приборов и интегральных схем”, “Физические основы
микроэлектроники и наноэлектроники”.
Печатается по решению НМС физического факультета от 14 июня 2002 г.
2
М етоди ческ и е у к азан и ясоставл ен ы н а к аф едре ф и зи к и пол у проводн и к ов и
м и к роэл ек трон и к и В орон ежск ого госу дарствен н ого у н и верси тета доцен том
Бык адоровой Г.В ., доцен том Гол ьдф арбом В .А., к ан ди датом техн и ческ и х н ау к
К ожевн и к овым В .А. и и н жен ером Гашк овым А.Н. под редак ци ей док тора
техн и ческ и хн ау к Асессорова В .В .
В дан н ых м етоди ческ и х у к азан и ях рассм отрен ы м етоды расчета
к он цен траци он н ых проф и л ей и эл ек троф и зи ческ и х парам етров
пол у проводн и к овыхстру к ту р, пол у чен н ыхди ф ф у зи ей .
К аждый раздел содержи т ф и зи ческ у ю и м атем ати ческ у ю м одел и
техн ол оги ческ ого процесса, задан и яи к он трол ьн ые вопросы. Дл яряда ти повых
задач при веден ы решен и я с соответству ю щи м програм м н ым обеспечен и ем ,
н апи сан н ым н а язык е Паск ал ь и ори ен ти рован н ым н а и спол ьзован и е
персон ал ьн ыхк ом пью теров ти па IBM.
М етоди ческ и е у к азан и япредн азн ачен ы дл япроведен и яау ди торн ых зан яти й
и сам остоятел ьн ой работы сту ден тов ф и зи ческ ого ф ак у л ьтета 4 и 5 к у рсов по
специ ал ьн ости 014100 "М и к роэл ек трон и к а и пол у проводн и к овые при боры" и
сту ден тов 6 к у рса, обу чаю щи хся в м аги страту ре по н аправл ен и ю "Ф и зи к а"
(специ ал и заци я "Пол у проводн и к овые при боры и м и к роэл ек трон и к а") при
и зу чен и и спецк у рсов “М атем ати ческ ое м одел и рован и е техн ол оги ческ и х
процессов в м и к роэл ек трон и к е”, “Ф и зи ческ и е осн овы техн ол оги и и
пол у проводн и к овых при боров и и н теграл ьн ых схем ”, “Ф и зи ческ и е осн овы
м и к роэл ек трон и к и и н ан оэл ек трон и к и ”.
Печатаетсяпо решен и ю НМ С ф и зи ческ ого ф ак у л ьтета от 14 и ю н я2002 г.
