Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 15 стр.

где σ - коэффициент пропорциональности. После интегрирования
уравнения (1.13) получим:

                          I = I 0 exp(− σNx ) .                   (1.14)

Коэффициент σ , входящий в уравнения (1.13) и (1.14), имеет размер-
ность площади (м2) и носит название полного сечения соударений
электронов с атомами или молекулами. Иногда сечения измеряют в
единицах πao2, где аo = 0,53×10-8 см - радиус первой боровской орбиты
водородного атома. Для нахождения парциальных сечений любого
процесса из табл. 1.3.1 нужно умножить полное сечение соударений
на вероятность того, что при соударении будет иметь место рассмат-
риваемый процесс. Например, сечение процесса ионизации молекул
газа при электронном ударе будет определяться выражением:
σ ion = φionσ , где φion = φ (ε ) - вероятность ионизации ( φion = 0 при
ε < ε th,ion ). Соответственно, для данного сорта частиц полное сечение
может быть найдено как сумма парциальных сечений, характеризую-
щих отдельные упругие и неупругие процессы:

                           σ = σ el + ∑ σ in .                    (1.15)

      Сечение каждого упругого или неупругого процесса зависит от
энергии электрона, инициирующего данный процесс, и в общем слу-
чае задается функциональной зависимостью σ = σ (ε ) . Соответствую-
щие зависимости носят название функций процесса и могут быть най-
дены экспериментально в опытах с моноэнергетическими пучками
электронов или вычислены квантовомеханически. Сечения упругих
соударений обычно уменьшается с увеличением энергии электронов
из-за снижения величины φ , однако, в ряде случаев имеются откло-
нения от этой закономерности. Наиболее ярким проявлением такого
отклонения является эффект Рамзауэра, характеризующийся заметной
прозрачностью тяжёлых инертных газов к электронам с энергией по-
рядка 1 эВ (рис. 1.3.2,а). Сечения неупругих процессов обычно воз-
растают при ε > ε th , но в области высоких энергий выходят на участок
насыщения или проходят через максимум (рис. 1.3.2,б). Причиной
этого является снижение времени контакта (соударения) электрона с
«тяжелой» частицей, которое становится недостаточным для пере-
стройки ее внутренней структуры.


                                    15