Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 154 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

154
электрофизических параметров разряда при изменении средней
энергии и концентрации электронов.
• Газы - травители собственных (естественных) оксидов. Добавка
этих газов способствует травлению материалов, на поверхности
которых изначально присутствует слой собственного окисла. В
качестве примера можно привести добавку C
2
F
6
к хлору или
тетрахлорметану при травлении кремния, а также добавку BCl
3
к
хлору при травлении Al и GaAs.
• Газы – очистители. Этот случай может быть проиллюстрирован
добавкой O
2
в плазму CF
4
. Во-первых, кислород насыщает
радикалы CF
x
(путем перевода в оксифториды CF
x
О
y
), предотвращая
их рекомбинацию с атомами фтора и тем самым увеличивая
концентрацию химически активных частиц в плазме. Этот же
механизм приводит и к подавлению полимеризации ненасыщенных
продуктов распада исходных молекул на стенках реактора и
поверхности обрабатываемого материала. Во-вторых, кислород
способствует газификации углерода, предотвращая высаживание
твердых нелетучих соединений. Оба из перечисленных механизмов
работают и при добавке кислорода к CCl
4
.
Сводка данных по газам и газовым смесям, используемым для
травления различных материалов, приведена в табл. 4.3.1.
Таблица 4.3.1
Газы и газовые смеси, используемые для травления различных
материалов
Материал Газовая среда
Si CF
4
/O
2
, CF
2
Cl
2
, CF
3
Cl, SF
6
/O
2
/Cl
2
, NF
3
, CCl
4
,
SiF
4
/O
2
, C
2
F
6
/CF
3
Cl, Br
2
, CF
3
Cl/Br
2
SiO
2
CF
4
/H
2
, C
2
F
6
, C
3
F
8
, CHF
3
/O
2
Si
3
N
4
CF
4
/O
2
/H
2
, C
2
F
6
, C
3
F
8
, CHF
3
SiC CF
4
/O
2
, NF
3
, SF
6
/Cl
2
, CF
4
/Cl
2
Al BCl
3
, BCl
3
/Cl
2
, CCl
4
/BCl
3
/Cl
2
, SiCl
4
/Cl
2
Cr Cl
2
, Cl
2
/O
2
, CCl
4
/Cl
2
Mo, Nb, Ta, Ti, W CF
4
/O
2
, SF
6
/O
2
, NF
3
/H
2
Au C
2
F
2
Cl
4
, Cl
2
, CClF
3
Cu Cl
2
, Br
2
, CCl
4
GaAs BCl
3
/Ar, Cl
2
/O
2
, Cl
2
/H
2
, HCl, H
2
, CCl
2
F
2
/O
2
/Ar 
   электрофизических параметров разряда при изменении средней
   энергии и концентрации электронов.
• Газы - травители собственных (естественных) оксидов. Добавка
   этих газов способствует травлению материалов, на поверхности
   которых изначально присутствует слой собственного окисла. В
   качестве примера можно привести добавку C2F6 к хлору или
   тетрахлорметану при травлении кремния, а также добавку BCl3 к
   хлору при травлении Al и GaAs.
• Газы – очистители. Этот случай может быть проиллюстрирован
   добавкой O2 в плазму CF4. Во-первых, кислород насыщает
   радикалы CFx (путем перевода в оксифториды CFxОy), предотвращая
   их рекомбинацию с атомами фтора и тем самым увеличивая
   концентрацию химически активных частиц в плазме. Этот же
   механизм приводит и к подавлению полимеризации ненасыщенных
   продуктов распада исходных молекул на стенках реактора и
   поверхности обрабатываемого материала. Во-вторых, кислород
   способствует газификации углерода, предотвращая высаживание
   твердых нелетучих соединений. Оба из перечисленных механизмов
   работают и при добавке кислорода к CCl4.
      Сводка данных по газам и газовым смесям, используемым для
травления различных материалов, приведена в табл. 4.3.1.

                                                        Таблица 4.3.1
     Газы и газовые смеси, используемые для травления различных
                              материалов
Материал            Газовая среда
Si                  CF4/O2, CF2Cl2, CF3Cl, SF6/O2/Cl2, NF3, CCl4,
                    SiF4/O2, C2F6/CF3Cl, Br2, CF3Cl/Br2
SiO2                CF4/H2, C2F6, C3F8, CHF3/O2
Si3N4               CF4/O2/H2, C2F6, C3F8, CHF3
SiC                 CF4/O2, NF3, SF6/Cl2, CF4/Cl2
Al                  BCl3, BCl3/Cl2, CCl4/BCl3/Cl2, SiCl4/Cl2
Cr                  Cl2, Cl2/O2, CCl4/Cl2
Mo, Nb, Ta, Ti, W   CF4/O2, SF6/O2, NF3/H2
Au                  C2F2Cl4, Cl2, CClF3
Cu                  Cl2, Br2, CCl4
GaAs                BCl3/Ar, Cl2/O2, Cl2/H2, HCl, H2, CCl2F2/O2/Ar




                                 154

Страницы