Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 159 стр.

вызывает снижение скорости генерации ХАЧ, плотности их потока на
поверхности и скорости ПТ. В области высоких давлений, при
kTe < ε th,dis , дальнейшее повышение давления и снижение средней
энергии электронов приводят к снижению скорости генерации ХАЧ за
счет резкого падения константы скорости диссоциации. Таким образом,
зависимость скорости ПТ от давления имеет максимум (рис. 4.4.2,г),
причем при одинаковой удельной мощности разряда этот максимум
сдвинут в область меньших давлений в системах с емкостным
возбуждением плазмы по отношению к системам с индуктивным
возбуждением.




Рис. 4.4.2. Зависимость скорости плазменного травления от параметров
процесса: а - от площади при ПТ Si, б - от температуры при ПТ W, в - от
удельной мощности при ПТ в SF6, г - от давления при ПТ Si в SF6, д - от
расхода газа при ПТ Si в SF6, е - от содержания SF6 в бинарных смесях
при ПТ Si, ж - от величины отрицательного смещения на образце при
ПТ Si в SF6, з - от произведения Pd при ПТ Si в SF6, и-магнитной
индукции при ПТ SiO2 в CHF3

     Увеличение расхода рабочего газа приводит к возрастанию
абсолютного значения скорости плазменного травления материалов
                                 159