Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 162 стр.

селективности связан с ростом скорости травления SiO2. При высоких
значениях B концентрация ХАЧ возрастает настолько, что режим
травления Si также переходит в кинетический и резко возрастает
скорость травления.




Рис. 4.4.3. Зависимость селективности ПТ от параметров процесса: а - от
ВЧ мощности в различных газах, б - от давления SF6, в - от расхода газа
при ПТ поликремния в SF6, г - от содержания кислорода в смеси с SF6,
д - от содержания водорода в смесях с CF4 и C2F6, е - от напряженности
поля у поверхности подложки в SF6, ж - от площади обрабатываемой
поверхности в SF6, з - от частоты ВЧ поля в смеси CF4/O2,
и - от индукции магнитного поля при ПТ SiO2 в CHF3
     При производстве ИМС с субмикронными размерами элементов
ПТ может быть применено только для формирования топологии в
пленках толщиной более 0.5 мкм. Это обусловлено значительным
подтравливанием под маскирующий слой, при этом            величина
подтравливания в некоторых случаях равна глубине травления. При ПТ
показатель анизотропии обычно не превышает 2 - 4, что ограничивает
предельное разрешение процесса на уровне 1.0—0.7 мкм. При
требовании прецизионного травления плазменное травление может
быть применимо, пока отношение ширины линии к толщине слоя

                                 162