Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 206 стр.

стимуляции процесса и может возрастать в несколько раз. В процессе
электронно-стимулированного радикального травления материалов
можно эффективно и в широких пределах управлять селективностью
травления одного материала относительно другого. Равномерность
процесса зависит от распределения, как потока радикалов, так и потока
электронов по поверхности пластины, и можно легко достичь уровня,
необходимого для промышленного производства. Электроны при
энергиях 50 - 200 эВ, используемых в процессах электронно-
стимулированного травления, не могут вносить дефекты в
обрабатываемые материалы и нагревать образцы до высоких (больше
120°С) температур. Основным видом загрязнений поверхности после
травления могут быть только полимерные пленки, которые легко
удаляются в присутствии кислорода.
     Ионно-стимулированное травление. В настоящее время в
технологии микроэлектроники этот процесс используется наиболее
интенсивно. Механизм ионно-стимулированного газового травления
материалов при различных комбинациях системы ион - газ аналогичен
механизмам РИЛТ. В процессе ионно-стимулированного газового
травления в ионный источник подается инертный газ, из атомов
которого формируется пучок ускоренных ионов, направляемый на
поверхность обрабатываемого материала. Одновременно к поверхности
материала подается химически активный (рабочий) газ. Соотношение
между плотностью потока рабочего газа и плотностью тока пучка ионов
инертного газа составляет обычно больше, чем 50:1. Это приводит к
тому, что давление рабочего газа около обрабатываемой поверхности на
один - два порядка больше, чем давление инертного газа в источнике.
Таким образом, значительно (в 5 - 10 раз) увеличивается скорость
травления за счет вклада химической составляющей. Одновременно
повышается селективность травления материалов. Вклад химической
составляющей в скорость травления зависит также от адсорбционной
способности молекул рабочего газа к обрабатываемой поверхности и
увеличивается с понижением температуры. В качестве рабочих газов
при ионно-стимулированном газовом травлении могут использоваться
газы и соединения, которые спонтанно могут травить обрабатываемый
материал без ионной бомбардировки, а также газы, которые производят
травление только в присутствии ионной бомбардировки.
     Очевидно, что в случае ионно-стимулированного газового
травления скорость травления материала при установившейся
температуре его поверхности будет зависеть от вида, энергии и
плотности тока ионов, вида и потока химически активного газа.
Равномерность травления определяется распределением плотности
ионного тока и плотности потока химически активного газа по
                                206