Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 207 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

207
поверхности материала, а анизотропия травления зависит от угла
падения на поверхность ионов и молекул химически активного газа.
Скорости травления при фиксированных значениях энергии и
плотности тока ионного пучка возрастают с увеличением расхода
химически активного газа (рис. 4.10.2,а,б). Причем рост скорости
травления зависит от вида как инертного, так и химически активного
газа. Максимальные скорости травления кремния для фиксированных
ионов инертного газа наблюдаются при использовании в качестве
химически активного газа CF
4
и уменьшаются в ряду CF
4
, CF
3
CI,
CF
2
C1
2
. Это связано с тем, что травление кремния осуществляется
атомами фтора.
Рис. 4.10.2. Зависимость скорости ионно-стимулированного газового
травления от расхода химически активного газа (а – Si, б – Al при
130 эВ и 3 мА/см
2
, 1 - CF
4
/Ar
+
, 2 - CF
3
Cl/Ar
+
, 3 - CF
2
Cl
2
/Ar
+
,
4 - CF
2
Cl
2
/N
2
+
, 5 - CF
2
Cl
2
/Xe
+
, 6 - H
2
/Ar
+
), от энергии ионов Ar
+
при
активном газе CF
2
Cl
2
(в) и от плотности ионного тока в системе Ar
+
/
CF
2
Cl
2
(г)
Наибольшие скорости травления GaAs, InSb и алюминия для
фиксированных ионов инертного газа уменьшаются в ряду CF
2
Cl
2
,
CF
3
CI, CF
4
. Такая закономерность связана с тем, что соединения группы
A
3
B
5
и алюминий образуют летучие соединения с атомами хлора, а не
фтора. Подача водорода ненамного (в 1.3—2 раза) увеличивает скорости
травления исследуемых материалов, однако значительно повышает
чистоту и воспроизводимость процесса ионно-стимулированного
газового травления от цикла к циклу, очевидно, за счет восстановления
равновесных оксидов и отсутствия углеродных загрязнений на 
поверхности материала, а анизотропия травления зависит от угла
падения на поверхность ионов и молекул химически активного газа.
Скорости травления при фиксированных значениях энергии и
плотности тока ионного пучка возрастают с увеличением расхода
химически активного газа (рис. 4.10.2,а,б). Причем рост скорости
травления зависит от вида как инертного, так и химически активного
газа. Максимальные скорости травления кремния для фиксированных
ионов инертного газа наблюдаются при использовании в качестве
химически активного газа CF4 и уменьшаются в ряду CF4, CF3CI,
CF2C12. Это связано с тем, что травление кремния осуществляется
атомами фтора.




Рис. 4.10.2. Зависимость скорости ионно-стимулированного газового
травления от расхода химически активного газа (а – Si, б – Al при
130 эВ и 3 мА/см2, 1 - CF4/Ar+, 2 - CF3Cl/Ar+, 3 - CF2Cl2/Ar+,
4 - CF2Cl2/N2+, 5 - CF2Cl2/Xe+, 6 - H2/Ar+), от энергии ионов Ar+ при
активном газе CF2Cl2 (в) и от плотности ионного тока в системе Ar+/
CF2Cl2 (г)
     Наибольшие скорости травления GaAs, InSb и алюминия для
фиксированных ионов инертного газа уменьшаются в ряду CF2Cl2,
CF3CI, CF4. Такая закономерность связана с тем, что соединения группы
A3B5 и алюминий образуют летучие соединения с атомами хлора, а не
фтора. Подача водорода ненамного (в 1.3—2 раза) увеличивает скорости
травления исследуемых материалов, однако значительно повышает
чистоту и воспроизводимость процесса ионно-стимулированного
газового травления от цикла к циклу, очевидно, за счет восстановления
равновесных оксидов и отсутствия углеродных загрязнений на
                                207

Страницы