Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 209 стр.

газовое травление позволяет получать структуры субмикронных
размеров с самым большим отношением глубины травления к ширине
элемента (например, для GaAs - от 35 до 50).
     К     сожалению,     обеспечение        равномерности    ионно-
стимулированного газового травления на больших площадях
представляет    собой    сложную       техническую     задачу   из-за
перераспределения плотности молекул химически активного газа после
выхода из сопла коллектора. Для лучших систем ионно-
стимулированного газового травления высокая равномерность
травления (95%) получена на площади диаметром не более 2 см. В
настоящее время малая площадь обработки, на которой обеспечивается
высокая равномерность травления, является основным сдерживающим
фактором на пути внедрения ионно-стимулированного газового
травления в промышленное производство микросхем.

                        4.11. Заключение

      При переходе к субмикронной технологии ИМС жидкостные
методы травления становятся неприемлемыми в силу ограничений по
выходным характеристикам процесса.             При использовании
плазмохимических      и   ионно-плазменных     методов    травления
регулирование состава плазмообразующего газа и параметров разряда
позволяет варьировать скорости целевых процессов, их анизотропию и
селективность в соответствии с требованиями, предъявляемыми к
размерам и характеристикам изделий.
      В технологии ИМС получили применение три основных системы
«сухого» травления материалов, основанные на химическом
взаимодействии ХАЧ с обрабатываемой поверхностью, физическом
распылении поверхности ускоренными ионами, либо на совместном
действии обоих механизмов. Зависимости выходных характеристик
процесса травления (скорости, селективности, анизотропии) в каждом
конкретном случае зависит от операционных (тип плазмообразующего
газа, его давление, скорость потока газа, вкладываемая мощность) и
конструкционных (способ возбуждения разряда, тип электродной
системы, расположение обрабатываемого материала) параметров
процесса. Системы с преобладанием химического механизма травления
обеспечивают высокие скорости взаимодействия, однако анизотропия
процесса невелика. Системы с преобладанием физического механизма
характеризуются низкими скоростями травления и наличием
радиационных повреждений обрабатываемых структур, однако
обеспечивают высокую анизотропию процесса, величина которой
удовлетворяет требованиям субмикронных технологий.
                                209